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储能系统技术 储能系统 三相逆变器 GaN器件 ★ 5.0

一种用于大电流低电压牵引逆变器应用的并联封装高性能氮化镓功率模块

A High-Performance GaN Power Module With Parallel Packaging for High-Current and Low-Voltage Traction Inverter Applications

Manh Tuan Tran · Dai Duong Tran · Kritika Deepak · Gamze Egin Martin 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月

氮化镓(GaN)功率半导体被视为下一代高功率牵引逆变器的有前景替代方案,适用于高低压应用场景。为满足数百安培峰值电流需求,并联多个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片成为提升功率容量与降低损耗的关键设计路径。然而,并联封装结构在动态与静态电流均衡、抗高dv/dt与di/dt干扰能力、栅极驱动可靠性及热管理等方面面临挑战。本文提出一种紧凑型100 V/360 A GaN功率模块,专为绝缘金属基板(IMS)或直接键合铜(DBC)封装设计,具备优异的电气性能、散热能力、低机械应力及成本优势。通过4...

解读: 该GaN并联封装技术对阳光电源低压大电流产品线具有重要应用价值。针对48V储能系统、车载OBC充电机及充电桩等低压大电流场景,文章提出的100V/360A模块设计可直接应用于ST系列储能变流器的DC-DC变换级和新能源汽车产品。其IMS/DBC封装方案解决了并联GaN器件的电流均衡与热管理难题,相比...