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储能系统技术 宽禁带半导体 ★ 4.0

高性能铜纳米颗粒浆料的开发及用于铜-铜低温烧结连接

Development of high-performance Cu nanoparticle paste and low-temperature sintering for Cu–Cu bonding

Natural Science Foundation of Guangxi Province · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

铜纳米颗粒浆料的烧结技术在宽禁带半导体器件中具有重要的应用潜力。本研究提出一种高性能、多尺度铜纳米颗粒浆料,以解决传统铜浆在制备与储存过程中易氧化以及烧结温度较高等关键问题。采用液相还原法简便高效地合成了粒径分布在20至140 nm范围内的多尺度铜纳米颗粒,并将其与还原性复合溶剂混合,制备出铜纳米颗粒浆料。基于该浆料,在不同温度和时间条件下开展了加压辅助的铜-铜键合实验。结果表明,在氮气气氛下240 ℃烧结后,铜-铜接头的平均剪切强度达到33.3 MPa;当烧结温度升高至280 ℃时,剪切强度甚...

解读: 该铜纳米颗粒低温烧结技术对阳光电源SiC/GaN宽禁带功率器件封装具有重要应用价值。多尺度Cu纳米浆料在240°C氮气环境下实现33.3 MPa剪切强度,280°C可超60 MPa,显著低于传统焊接温度,可应用于ST系列PCS和SG逆变器的IGBT/SiC模块互连封装,提升三电平拓扑器件热循环可靠性...