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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

通过微米级银浆烧结技术实现SiC功率模块芯片与散热器连接以降低热阻并提升功率循环可靠性

Development of SiC Power Module Structure by Micron-Sized Ag-Paste Sinter Joining on Both Die and Heatsink to Low-Thermal-Resistance and Superior Power Cycling Reliability

Chuantong Chen · Aiji Suetake · Fupeng Huo · Dongjin Kim 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

本文研究了四种基于SiC加热芯片、直接键合铝(DBA)基板和铝散热器的SiC功率模块。通过对比SAC305焊料与银浆烧结工艺在芯片连接中的应用,评估了模块的热特性及功率循环下的结构可靠性。研究表明,银浆烧结技术能显著降低热阻,并提升模块在严苛功率循环条件下的长期运行可靠性。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心的功率电子技术升级。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用已成为提升整机效率的关键。银浆烧结技术能有效降低SiC模块热阻,解决高功率密度下的散热瓶颈,显著提升逆变器及PCS在极端工况下的功率循环寿命。建议研发团队在...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

裸DBA基板上银烧结连接在老化、热冲击及1200 W/cm²功率循环测试下的界面力学与热特性研究

Interface-Mechanical and Thermal Characteristics of Ag Sinter Joining on Bare DBA Substrate During Aging, Thermal Shock and 1200 W/cm2 Power Cycling Tests

Chuantong Chen · Dongjin Kim · Zheng Zhang · Naoki Wakasugi 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月

本文研究了在250°C无压条件下,利用微米级银烧结技术将SiC芯片直接连接至裸DBA(Al/AlN/Al)基板的工艺。实验表明,银-铝界面具有33.6 MPa的稳固结合力。通过1000小时250°C高温存储、热冲击及1200 W/cm²功率循环测试,验证了该封装结构在极端工况下的热机械可靠性。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率模块封装技术。随着公司在光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS中大规模应用SiC器件,提升功率密度与可靠性至关重要。银烧结技术替代传统焊料是实现高功率密度设计的关键,而裸DBA基板的应用有助于降低成本并优化热传导路径。建议研发团队关注该界面在极端功率循环下的失...