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一种用于RGB虚拟像素MicroLED显示器的高效动态补偿电源缓冲器，可减少73%的重影并实现四倍屏幕分辨率
A Dynamic Compensated and 95% High-Efficiency Supply Buffer in RGB Virtual Pixel MicroLED Display for Reducing Ghosting by 73% and Achieving Four Times Screen Resolution
Kai-Cheng Chung · Jia-Jyun Lee · Jia-Rui Huang · Yan-Jiun Lai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文提出了一种MicroLED虚拟像素阵列设计及驱动方案。通过优化像素排列，有效提升了像素密度并降低了寄生电容，从而缓解了重影效应。驱动电路中采用动态密勒补偿技术的推挽式电源缓冲器，实现了快速瞬态响应，显著提升了显示效率与性能。
解读: 该文献聚焦于微型显示驱动电路的动态补偿与高效电源缓冲技术，属于高频小功率电力电子应用。虽然与阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、充电桩）在功率等级和应用场景上存在较大差异，但其提出的“动态密勒补偿技术”在提升功率模块驱动电路的瞬态响应速度、降低开关损耗方面具有一定的参考价值。建议研发团队关注...
通过降低导通电阻的新方法单片集成GaN微LED与HEMT
Monolithically Integrating GaN MicroLEDs on HEMTs With a New Approach for Lower On-Resistance
Ran Zhang · Hongping Liu · Yuefei Cai · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月
高电子迁移率晶体管（HEMT）驱动的微型发光二极管（microLED）在用于可见光通信、微显示和生物传感等领域的电压可控发光方面已有大量报道。现有的集成方法基于采用选择性区域生长法的n - 氮化镓（n - GaN）/二维电子气（2DEG）互连方案。由于微型发光二极管与高电子迁移率晶体管之间互连界面的面积有限，以及高电子迁移率晶体管缓冲层表面蚀刻损伤导致选择性外延生长质量不佳，集成器件存在导通电阻相对较大和电流扩展较差的问题。本文提出了一种将高电子迁移率晶体管与微型发光二极管集成的新方法。该方法无...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN HEMT与microLED单片集成技术虽然当前主要应用于可见光通信、微显示等领域，但其底层技术突破对我司功率电子产品具有重要的潜在价值。 该技术的核心创新在于优化了GaN器件的集成工艺，通过在AlGaN/GaN HEMT表面直接选择性外延生长microLED，...