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拓扑与电路 DC-DC变换器 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 4.0

固态变压器用谐振DC-DC变换器的设计与实验测试

Design and Experimental Testing of a Resonant DC–DC Converter for Solid-State Transformers

Gabriel Ortiz · Michael Georg Leibl · Jonas Emanuel Huber · Johann Walter Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月

在固态变压器(SST)概念中,电压适配与隔离由中频运行的大功率DC-DC变换器实现,从而减小了无源元件的体积与重量。该变换器是SST实现的核心挑战,本文重点探讨了其在中频运行下的设计与实验验证。

解读: 该研究涉及的高功率密度、中频隔离DC-DC变换器技术,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及未来的固态变压器应用具有重要参考价值。通过优化谐振拓扑,可进一步提升PCS的功率密度并降低损耗。建议研发团队关注该技术在提升储能变流器效率及减小系统体积方面的潜力,特别是在...

电动汽车驱动 SiC器件 多物理场耦合 ★ 5.0

通过硅与碳化硅器件的电感解耦提升混合逆变器性能

Enhancing Hybrid Inverter Performance Through Inductive Decoupling of Silicon and Silicon Carbide Devices

Michael Walter · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月

本研究的核心目标是提高一款设计用于在 400 V 直流母线电压下运行的牵引混合开关逆变器的效率。这一目标通过将分立的 650 V 硅绝缘栅双极型晶体管(Si - IGBT)和续流二极管与 650 V 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC - MOSFET)进行并联组合来实现。本研究提出了一种创新方法,即引入额外的电感,将 SiC - MOSFET 半桥与 IGBT/硅二极管半桥解耦。这种解耦方法有效降低了有源 SiC - MOSFET 的开通损耗和无源硅二极管的关断损耗,与非解耦配置相比,...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于电感解耦的硅基IGBT与碳化硅MOSFET混合逆变器技术具有重要的应用价值和战略意义。 该技术通过在SiC-MOSFET半桥与IGBT/Si二极管半桥之间引入解耦电感,有效降低了SiC-MOSFET的开通损耗和硅二极管的关断损耗,这与我们在光伏逆变器和储能变流器产...