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用于6.78-MHz无线电能传输的高效率且输出功率稳定的可调Class E^2 DC-DC变换器
Tunable Class E^2 DC–DC Converter With High Efficiency and Stable Output Power for 6.78-MHz Wireless Power Transfer
Shuangke Liu · Ming Liu · Songyang Han · Xinen Zhu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年8月
由Class E功率放大器和整流器组成的Class E^2 DC-DC变换器是MHz级无线电能传输的理想选择，具备软开关特性和高效率优势。然而，传统静态设计对运行条件变化敏感，在负载波动时性能会下降。本文提出了一种可调设计方案，以提升变换器在不同工况下的效率与输出稳定性。
解读: 该技术主要针对MHz级高频无线电能传输，虽然与阳光电源目前主流的组串式逆变器、PowerTitan储能系统等大功率电力电子产品存在差异，但其核心的软开关技术和高频变换拓扑对未来小型化、高功率密度的产品研发具有参考价值。特别是在电动汽车无线充电桩领域，随着行业向高频化演进，该研究中关于负载波动下的稳定...
基于低频矢量网络分析仪和器件仿真研究GaN HEMTs在导通状态下漏极偏压对Y参数的影响
Study on drain bias dependence of Y-parameters under on-state condition in GaN HEMTs using low-frequency vector network analyzer and device simulation
Toshiyuki Oishi · Ken Kudar · Yutaro Yamaguchi · Shintaro Shinjo 等7人 · Solid-State Electronics · 2025年12月 · Vol.230
本文通过实验结果与器件仿真相结合的方法，研究了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）在导通状态下低频Y参数随漏极电压的变化特性。利用矢量网络分析仪，在栅极电压为0 V、漏极电压从3 V到30 V、温度范围从室温至120摄氏度的条件下，系统地测量了频率范围为10 Hz至100 MHz的宽带Y参数。在Y22和Y21的虚部（Im）中观察到六个具有峰值的信号。这些峰值被分为两类：一类出现在约5 MHz附近，在阿伦尼乌斯图中呈现负斜率；另一类出现在150 kHz以下，其激活能可通过阿伦尼乌斯图估算...
解读: 该GaN HEMT低频Y参数特性研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的自热效应(5MHz峰)和陷阱效应(150kHz以下峰)机理,可直接应用于EV驱动系统中GaN器件的热管理优化和可靠性设计。通过Y参数频域分析技术,可改进OBC充电机和电机驱动器中GaN开关的动态特性建模,优化三电平拓扑...