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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

p-GaN栅极HEMTs的同步光电驱动

SPED)方案演示

Haochen Zhang · Zheng Wu · Longge Deng · Tao Chen 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年6月

我们展示了一种适用于具有半透明栅电极的常关型 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)的同步光子 - 电子驱动(SPED)方案。通过一个与器件栅极端子同步驱动的紫外发光二极管,该 HEMT 的传导电流可以同时通过光子和电子方式实现导通/关断,充分利用了两种驱动方案的优势并克服了它们的缺点。在导通状态下,由于光电增强导电性,与仅采用电子驱动方案相比,在获得相同导通电流时,栅极过驱动电压可降低约 3 V,同时实现相同的导通电阻。在关断状态下,SPED 方案中的电子栅极可以迅速从栅极堆叠中移除...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项同步光电驱动(SPED)技术针对p-GaN栅极HEMT器件的创新方案具有重要的战略意义。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率半导体器件的性能直接决定了系统的效率、可靠性和功率密度。 该技术的核心价值在于通过紫外LED与电子栅极的协同驱动,实现了两个关键突破:首先...