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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

一种用于激光雷达发射器、具有陡峭驱动电流的单片GaN激光二极管驱动器

A Monolithic GaN Laser Diode Driver With Steep-Edge Driving Current for LiDAR Transmitters Using a 3× Self-Circulating Charge Pump

Chun-wang Zhuang · Xin Ming · Yao Qin · Lin-min Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

直接飞行时间(ToF)激光雷达广泛应用于三维传感。为实现高分辨率和长距离探测,需高峰值功率的窄光脉冲,这对激光二极管驱动器(LDD)提出了严苛要求。单片GaN集成技术因能最小化栅极驱动回路寄生参数,成为LDD设计的理想选择。

解读: 该文献探讨了基于GaN工艺的单片集成驱动技术,主要应用于激光雷达(LiDAR)领域。虽然阳光电源目前的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统及充电桩,与激光雷达直接应用场景重合度较低,但该技术在宽禁带半导体(GaN)的高频驱动与集成化设计方面的研究,对公司未来在功率模块小型化、高频化以及下一代电动汽车充...