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控制与算法 ★ 5.0

关于“基于滑模技术的电网连接型NPC变换器级联控制”的更正

Correction to “Cascade Control of Grid-Connected NPC Converters via Sliding Mode Technique”

Xiaoning Shen · Jianxing Liu · Hao Lin · Yunfei Yin 等6人 · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2025年5月

本文第一页底部第三作者Hao Lin的所属单位信息存在错误,需进行更正。此次更正旨在准确反映作者的机构 affiliation,确保学术记录的完整性和准确性。更正内容不影响原论文的研究方法、实验结果及主要结论。

解读: 本文为勘误说明,不涉及技术内容更新。原文研究的NPC三电平变换器滑模级联控制技术对阳光电源具有重要参考价值:该控制策略可应用于ST系列储能变流器和SG系列大功率光伏逆变器的三电平拓扑控制优化。滑模控制的强鲁棒性和快速动态响应特性,可提升PowerTitan储能系统在电网扰动下的稳定性,改善中点电位平...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

60Co γ辐照引起的p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT漏电机制

Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs

Danmei Lin · Xuefeng Zheng · Shaozhong Yue · Xiaohu Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了60Co γ射线辐照对p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)栅极漏电特性的影响。实验结果表明,辐照后栅极漏电流显著增加,主要归因于γ光子诱导的位移损伤在p-GaN/AlGaN界面附近形成受主型缺陷,导致隧穿势垒降低和漏电路径增强。通过电容-电压与电流-电压特性分析,确认辐照诱发的缺陷能级位于禁带中下部,促进了Frenkel对的生成与载流子热发射过程。该工作揭示了p-GaN基HEMT在辐射环境下的可靠性退化机制。

解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用的可靠性设计具有重要参考价值。研究揭示的γ辐照导致p-GaN栅极漏电增加的机理,可指导我们在SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的防护设计。特别是对于航天级或核电站配套的特种变流设备,需要重点考虑辐照环境下GaN器件的栅极可靠性问题。建议在功率模块设计时采...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

利用具有显著介电极化的高介电常数BaTiO3提升常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT性能

Enhanced performance of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMTs taking advantage of extreme-k BaTiO3 with prominent dielectric polarization

Lin Hao · Ke Xu · Hui Guo · Pengfei Shao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了一种通过引入高介电常数(extreme-k)且具有显著介电极化的钛酸钡(BaTiO3)绝缘层来显著提升常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)性能的新方法。BaTiO3的强极化效应有效增强了栅控能力,提高了器件的阈值电压稳定性和开关比。实验结果表明,该器件展现出优异的常关特性、低亚阈值摆幅和高跨导,同时漏电流抑制能力显著改善。该策略为实现高性能、高可靠性GaN基功率电子器件提供了新的技术路径。

解读: 该BaTiO3栅极工艺创新对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要价值。通过提升GaN器件的阈值电压稳定性和开关特性,可显著优化SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频开关性能,提高系统功率密度。特别是在1500V高压系统中,改进的漏电流抑制能力有助于提升产品可靠性。这种高介电常数栅极技术也可用于...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

抑制陷阱效应的氮化镓HEMT沟道温度测量与热阻表征模型

Trap-suppressed channel temperature measurement and thermal resistance characterization model for GaN HEMTs

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题,提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为,结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度,并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明,该方法显著降低了传统电学测温中的误差,提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度,为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中,GaN器件因高频高效特性被广泛采用,但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电,可精确提取沟道温度,为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化:电热与陷阱机制

Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms

Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了在高压射频应力下,不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗,低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析,表明高阻抗下自热效应更强,但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速,加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试,识别出浅能级陷阱的激活是退化主因,并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。

解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制,可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域,可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

材料创新与界面工程协同优化以缓解高功率氮化镓基蓝光激光二极管中的COD

Synergistic optimization of material innovation and interface engineering for COD mitigation in high-power GaN-based blue laser diodes

Qiangqiang Guo · Shuiqing Li · Heqing Deng · Zhibai Zhong 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

针对高功率GaN基蓝光激光二极管中常见的灾变性光学损伤(COD)问题,本文提出了一种材料创新与界面工程协同优化的策略。通过改进电子阻挡层设计并引入高Al组分渐变层,有效抑制了电子泄漏并提升了空穴注入效率;同时优化p型欧姆接触界面,显著降低了接触电阻与界面缺陷密度。实验结果表明,该协同优化方法大幅提高了器件的COD阈值与可靠性,为高性能激光二极管的开发提供了关键技术路径。

解读: 该研究在GaN器件COD可靠性提升方面的创新对阳光电源的高频化产品布局具有重要参考价值。通过材料与界面优化提升的GaN器件可靠性,可直接应用于新一代SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频DC/DC模块,以及车载OBC等对功率密度要求较高的产品。特别是其提出的界面工程优化方法,有助于提升阳光电源...

光伏发电技术 ★ 5.0

通过锑掺杂提高柔性Cu2ZnSn(S,Se)4太阳能电池效率与机械稳定性的研究

Insights into enhanced efficiency and mechanical stability of flexible Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells through antimony doping

Luanhong Sun · Hao Hu · Wei Wang · Qing Lin 等6人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.294

在保持柔性太阳能电池机械耐久性的同时确保其光伏效率,是柔性CZTSSe太阳能电池面临的一项重大挑战。本文提出了一种创新的Sb掺杂方法,用于调控缺陷,从而减轻由缺陷引起的显著开路电压损失,并提升柔性太阳能电池的机械稳定性。当SbCl3浓度为0.8 mol/L时,CZTSSe吸光层的晶体质量得到显著改善,且未改变原有的锡锌矿结构。其孔隙率和残余应力分别从8.19%显著降低至2.18%,残余应力则从−10.11 GPa减小至−3.84 GPa。因此,在此基础上制备的CZTSSe/CdS异质结表现出最优...

解读: 该柔性CZTSSe太阳能电池技术通过Sb掺杂提升光电转换效率和机械稳定性,对阳光电源SG系列光伏逆变器和分布式光伏系统具有重要应用价值。其异质结能带优化(CBO=-0.23eV)和缺陷调控机制可为我司MPPT算法优化提供理论依据,500次弯曲循环后保持90%效率的机械耐久性,适配建筑一体化BIPV场...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

适用于负混合电压接口的3xVDD耐压电源轨ESD钳位电路

3xVDD-tolerant power-rail ESD clamp circuit for negative mixed-voltage interfaces

Hao-En Cheng · Ching-Lin Wua · Chun-Yu Linb · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.229

本文提出并基于0.18 μm、1.8 V CMOS工艺实现了一种用于负电压电源引脚的新型电源轨静电放电(ESD)钳位电路。该电路仅采用1.8 V nMOS和pMOS器件,实现了高达3倍电源电压(3×VDD,即5.4 V)的电压耐受能力,优于大多数现有设计所达到的2×VDD耐压水平。此外,该电路表现出超过8 kV的人体模型(HBM)抗静电能力,并在室温下展现出极低的漏电流,约为0.7 nA,因此非常适用于生物医学电路、混合电压应用以及电源管理系统中的负电压环境。

解读: 该3xVDD容差ESD保护电路技术对阳光电源储能系统(ST系列PCS、PowerTitan)及充电桩产品具有重要应用价值。其负电压接口保护能力可优化混合电压拓扑设计,8kV HBM防护等级满足工业级可靠性要求,0.7nA超低漏电流特性有助于降低储能系统待机损耗。该技术可应用于三电平拓扑的功率器件保护...

电动汽车驱动 储能系统 可靠性分析 ★ 5.0

基于改进型E类谐振拓扑并集成可控可变电感与阶梯磁芯收发耦合器的固定频率单级无线电机驱动器

A Fixed-Frequency Single-Stage Wireless Motor Driver Utilizing a Modified Class-E Resonant Topology With a Controlled Variable Inductor and Stepped-Core Tx/Rx Couplers

Ching-Ming Lai · De-Tai Lin · Hao-En Liu · Tomokazu Mishima 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年2月

本文提出一种基于改进型E类谐振拓扑的单级无线电机驱动器(WMD),用于直流电机控制。通过引入有源钳位电路与高阶谐波抑制电路,提升了开关器件可靠性并优化了功率传输效率。在谐振腔中集成可变电感模块与阶梯磁芯发射/接收耦合器,实现了在线圈失配条件下保持高效率的固定频率运行。文章涵盖系统架构、电路工作模态、稳态分析及磁性元件设计。实验构建了180 W的WMD样机,验证了理论分析,谐振腔效率提升达4.79%,系统最高效率达89.72%。

解读: 该固定频率单级无线电机驱动技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要应用价值。改进型E类谐振拓扑结合有源钳位电路可直接应用于车载OBC充电机和无线充电桩开发,89.72%的系统效率与4.79%的谐振腔效率提升为ST储能变流器的软开关设计提供参考。可变电感模块实现线圈失配下的固定频率运行,可优化充电桩在不...

储能系统技术 储能系统 可靠性分析 ★ 4.0

铜夹片特性对Dr.MOS封装热性能的影响

Effect of Clip Characteristics on Thermal Performance of Dr.MOS Packages

Hao-Lin Yen · Fang-I Lai · IEEE Access · 2025年1月

研究探讨了铜夹片设计对驱动MOSFET封装热性能的影响,以优化微电子元件的散热效率。实验检验了四个关键变量:夹片厚度、材料、附着材料和镀层材料。结果表明夹片厚度从0.15mm增至0.2mm可使热阻降低2.1%(从3.3667°C/W降至3.2958°C/W)。使用高导热率的C1100铜(391 W/m-K)进一步降低热阻改善整体散热。采用SAC305等高导电粘合剂改善了夹片与晶圆间的热界面,石墨烯涂层增强了热稳定性和耐腐蚀性。在12V和19V高压条件下,较厚铜夹片和更好附着材料的封装显著降低表面...

解读: 该Dr.MOS热管理研究对阳光电源功率器件封装优化具有直接指导价值。研究中铜夹片厚度和材料选择对热阻的影响与阳光SiC/GaN功率模块的散热设计高度相关。SAC305焊接工艺和石墨烯涂层技术可应用于阳光ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率模块封装改进,在高电压工况下显著降温的结果为阳光150...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

SKAD:一种基于结构知识引导的输电线路阻尼器异常检测统一框架

SKAD: A Unified Framework Guided by Structural Knowledge for Anomaly Detection of Dampers in Transmission Lines

Jiahao Shi · Jing Chen · Hao Jiang · Xiren Miao 等5人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年4月

阻尼器通过吸收输电线路振动能量以抑制导线振幅,但其可能发生内部结构异常(如阻尼头损伤)或外部位置异常(如沿导线滑移),影响减振效果。现有方法多针对单一异常类型,且局部特征提取能力有限。为此,本文提出SKAD,一种基于结构知识引导的统一检测框架,通过四个关键结构点对阻尼器结构特性进行编码,结合HRNet、GAU与SimCC构成的混合网络实现亚像素级定位。通过分析结构点的空间关系与向量特征,SKAD可在结构层面同步检测损伤(基于置信度阈值与向量点积)和滑移(基于深度-平行-距离约束)异常。实验结果表...

解读: 该输电线路阻尼器异常检测技术对阳光电源智能运维体系具有重要借鉴价值。其基于结构知识的亚像素级定位方法可迁移至iSolarCloud平台的设备巡检模块,用于光伏支架、储能柜体等关键部件的结构异常检测。SKAD框架中的多类型异常统一检测思路可应用于ST储能系统的预测性维护,通过视觉识别电池模组连接件松动...

储能系统技术 并网逆变器 储能系统 弱电网并网 ★ 5.0

基于μ综合理论与遗传算法的并网逆变器鲁棒控制方法以应对弱电网下的多重不确定性

Robust Control Method Based on μ-Synthesis Theory and Genetic Algorithm for Grid-Connected Inverter to Cope With Multiple Uncertainties Under Weak Grid

Hao Liu · Tianzhi Fang · Yu Zhang · Zhiheng Lin 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月

在可再生能源分布式发电系统中,并网逆变器是发电单元与电网之间的关键接口,其稳定运行至关重要。然而,弱电网下的不确定电网阻抗和控制延迟等多重不确定性常影响系统稳定性。本文采用μ综合理论设计鲁棒控制器,通过智能构造加权函数,兼顾系统的鲁棒性、动态性能与电能质量。为避免控制器阶数过高,提出采用遗传算法优化设计三阶控制器。实验结果验证了所提方法的有效性,相较传统方法具有更优的鲁棒性能。

解读: 该μ综合鲁棒控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器在弱电网并网场景具有重要应用价值。针对偏远地区、海岛微网等弱电网环境,该方法可有效应对电网阻抗波动和控制延迟等多重不确定性,提升PowerTitan大型储能系统的并网稳定性。遗传算法优化的三阶控制器设计思路可降低DSP计算负荷,适合...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

有源栅极驱动应用中SiC MOSFET阈值迟滞的评估

Evaluation of Threshold Hysteresis for SiC MOSFETs in Active Gate Drive Application

Binbing Wu · Li Ran · Hao Feng · Hongyu Lin · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

碳化硅(SiC)功率MOSFET的阈值迟滞现象备受关注,但在有源栅极驱动(AGD)应用中的研究仍有限。本文通过界面电场分析不同开关速率与栅极电压下阈值迟滞的开关特性,发现负栅压和开通速度提升会增加界面态空穴陷阱的初始值与迟滞程度,从而增大驱动回路中的界面陷阱电流,加快SiC MOSFET开通。实验采用电流源AGD评估不同栅结构1200 V SiC MOSFET,结果表明关断性能不受正栅压影响,但负栅压和开通速度提高会增加阈值迟滞对开通速度的贡献比例。高速工作模式下,开通损耗中阈值迟滞占比达36....

解读: 该SiC MOSFET阈值迟滞研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,SiC器件高频开关特性直接影响系统效率与可靠性。研究揭示的负栅压与开通速度对阈值迟滞的影响机制,可优化有源栅极驱动(AGD)设计:通过精确控制栅极电压范围和开关速率,在高频工作模式下平衡...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于拓扑可迁移网络的双有源桥变换器家族通用建模方法

A Generic Modeling Approach for Dual-Active-Bridge Converter Family via Topology Transferrable Networks

Xinze Li · Fanfan Lin · Changjiang Sun · Xin Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年8月

新兴的电力变换器灰箱建模方法有效缓解了传统基于物理的白箱模型中存在的模型差异问题,同时为数据驱动的黑箱模型提供了一种数据需求少且可解释的替代方案。然而,现有灰箱建模方法仍面临一个重大挑战,即对域外拓扑结构的泛化能力较差。这一局限性使得在遇到新的拓扑结构时,需要重建或重新训练模型,从而阻碍了其广泛应用。针对这些挑战,本文提出了一种专门适用于双有源桥(DAB)变换器拓扑族的通用灰箱建模方法,该方法基于所提出的拓扑可迁移的架构内物理混合密度网络(T²PA - MDN)。作为核心部分,T²PA 网络对循...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对双有源桥(DAB)变换器族的通用灰盒建模技术具有重要的战略价值。DAB拓扑是我司储能系统、光储一体化方案以及电动汽车充电设备中的核心功率变换单元,该技术的拓扑迁移能力直接契合我们产品线多样化的现实需求。 该技术的核心创新在于T²PA-MDN网络架构,通过将电路物理...

储能系统技术 ★ 5.0

基于新型三维光-电-热模型的直连式光伏电解系统的氢气生产性能优化

Hydrogen production performance optimization for direct-coupled photovoltaic electrolysis systems based on a novel 3D opto-electro-thermal model

Hao Wang · Weiding Wang · Chuanjie Lin · Yongquan Lai 等10人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.392

摘要 光伏驱动的电解系统是实现大规模可再生能源储存的一种有前景的方法,其中直连式系统在降低系统复杂性和成本方面具有显著优势。然而,由于结构设计和流量控制策略的次优选择,这类系统中的光伏(PV)模块与电解(EC)模块之间可能存在失配问题,从而显著降低氢气生产性能。尽管数值模拟有望解决上述问题,但现有的低维模型通常基于空间均匀性的假设,过于简化,难以充分捕捉此类复杂系统中光学、热学、电学以及气液流动现象之间的 intricate 耦合机制。本研究针对直连式系统提出了一种新型三维光-电-热模型,该模型...

解读: 该3D光电热耦合模型对阳光电源光伏制氢系统开发具有重要价值。研究揭示的PV-EC直连架构优化方法可指导SG系列逆变器与电解设备的功率匹配设计,其宽范围流量控制策略可简化系统控制复杂度。PV/T热集成方案与阳光电源储能系统的热管理技术协同,可提升太阳能制氢效率(STH)。建议将多物理场耦合仿真能力融入...

储能系统技术 储能系统 PWM控制 SiC器件 ★ 5.0

高频无线电力传输技术特刊主编寄语

Guest Editorial Special Issue on High-Frequency Wireless Power Transfer Technology

Fei Lu · Grant Covic · Shu Yuen Ron Hui · Fernando Briz · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

无线电力传输WPT技术在交通电气化、电网、消费电子、医疗和太空等众多新兴应用中日益关键。其非接触特性在脏污或超洁净、高温、水下、地下和外太空等恶劣环境条件下具有优势。当前WPT系统性能与开关频率、耦合度、初次级磁元件伏安需求和组件质量密切相关,这些是功率容量、功率密度和效率的关键决定因素。为提升WPT技术运行安全性和可靠性,抑制和消除高频磁场引起的电磁干扰EMI和电动势EMF问题至关重要。该特刊从74篇投稿中录用31篇,涵盖高频谐振变换器技术、高频电磁场约束与发射抑制、抗失调与传输距离增强、高频...

解读: 该高频WPT特刊对阳光电源无线充电技术发展有全面指导价值。特刊涵盖的多MHz IPT系统、SiC全桥逆变器和三相高频IPT系统与阳光新能源汽车OBC无线充电模块的技术路线一致。高频电磁场约束和EMI/EMF抑制技术为阳光无线充电产品满足安全标准提供了解决方案。抗失调和传输距离增强技术(圆柱螺线管耦合...