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用于可调脉宽的新型多电平LC谐振网络3-MHz高压脉冲发生器
3-MHz High-Voltage Pulse Generator With Novel Multilevel LC Resonant Network for Adjustable Pulsewidth
Shuo Chen · Xian Cheng · Shuaiyin Wang · Yaoqiang Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种基于新型多电平LC谐振网络的高压脉冲发生器，实现了3MHz高重复频率及短上升时间。该技术利用二极管开通开关（DOS）实现高电压增益，解决了传统半控型器件在产生超短纳秒脉冲时的控制难题，为纳秒脉冲电场应用提供了高效的解决方案。
解读: 该研究涉及的高频、高压脉冲产生技术及多电平谐振拓扑，主要应用于医疗或特种工业领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩产品线在应用场景上有较大差异。然而，其多电平LC谐振网络设计及对高频开关特性的优化，对于阳光电源在未来探索更高功率密度、更小体积的功率变换器拓扑具有一定的参考价值。建议关注...
具有共模电流抑制、自动功率因数校正及功率解耦能力的单相整流器
Single-Phase Rectifier With Reduced Common-Mode Current, Auto-PFC, and Power Decoupling Ability
Hanlei Tian · Maolin Chen · Guozhuang Liang · Xian Xiao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
针对LED驱动器中变压器和电解电容导致的成本高、寿命短问题，本文提出了一种新型单相无变压器、无电容功率因数校正（PFC）整流器。该拓扑通过消除笨重的无源元件，实现了轻量化设计并显著提升了系统使用寿命。
解读: 该技术提出的无电解电容和无变压器设计理念，对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品具有参考价值。通过消除电解电容，可显著提升逆变器在高温环境下的可靠性与寿命，符合行业向高功率密度、长寿命发展的趋势。建议研发团队关注其功率解耦控制策略，以优化单相系统的二次纹波抑制能力，进一步提升户用储能系统及小型充电桩...
一种用于串联SiC MOSFET的通用短路检测与保护方案
A Universal Short-Circuit Detection and Protection Scheme for Series-Connected SiC MOSFETs
Ye Zhou · Liang Xian · Xu Wang · Dan Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
在高功率变换器中，通过串联SiC MOSFET以提升电压等级并简化拓扑结构是一种有效方案。然而，除了正常开关过程中的动态电压均衡外，短路检测与保护同样至关重要。由于驱动时序偏差及器件间I-V特性的固有失配，串联器件的短路保护面临巨大挑战。本文提出了一种通用的短路检测与保护方案，旨在解决串联SiC MOSFET在故障工况下的可靠性问题。
解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流侧电压（1500V及以上）演进，SiC器件的应用日益广泛。串联技术能有效降低对单管耐压等级的极端要求，但其带来的动态均压与短路保护难题是工程落地的瓶颈。该方案提出的保护机制可提...
用于高压SiC MOSFET串联电压平衡的可变关断栅极驱动技术
Variable Turn-OFF Gate Voltage Drive for Voltage Balancing of High-Speed SiC MOSFETs in Series-Connection
Ye Zhou · Liang Xian · Xu Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月
针对串联SiC MOSFET电压不平衡问题，本文提出了一种高精度、自适应闭环控制的主动栅极驱动方案。针对Si基驱动芯片在纳秒级开关瞬态下的响应延迟限制，该研究通过优化关断栅极电压调节策略，有效解决了高压应用中器件串联的动态均压难题，提升了功率变换系统的可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。随着光伏与储能系统向更高直流母线电压（如1500V及以上）发展，SiC MOSFET串联技术是提升功率密度和效率的关键。该研究提出的主动栅极驱动方案能有效解决高压串联下的均压难题，有助于阳光电源在下一代高...
用于串联SiC MOSFET电压平衡的栅漏放电补偿主动栅极驱动
Active Gate Drive With Gate–Drain Discharge Compensation for Voltage Balancing in Series-Connected SiC MOSFETs
Ye Zhou · Xu Wang · Liang Xian · Dan Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
针对串联碳化硅（SiC）MOSFET在关断过程中的电压不平衡问题，本文分析了栅漏放电偏差对电压不平衡比的影响及其根本原因。为此，提出了一种新型主动栅极驱动电路，通过补偿栅漏放电差异，有效提升了串联器件的电压均衡性能。
解读: 该技术对阳光电源的高压大功率产品线具有重要意义。在PowerTitan储能系统及大型集中式光伏逆变器中，为了提升系统电压等级以降低线损，常采用多器件串联技术。SiC MOSFET的引入虽提升了效率，但电压不平衡限制了其在高压场景的应用。该主动栅极驱动方案能有效解决串联均压难题，提升功率模块的可靠性与...