作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

传统的254 nm汞灯存在严重局限性，包括环境污染和使用寿命短等问题。为取代它们，本研究致力于开发内量子效率达84.0%的254 nm氮化铝镓（AlGaN）发光二极管（LED），并提出一种能够实时监测光输出功率（LOP）的LED与光电探测器（PD）集成器件。优化后的集成器件表现出卓越性能：在零偏压下，光电流与暗电流之比超过10⁵，自驱动光电探测器的响应度、比探测率和外量子效率分别为5.44 A/W、1.72×10¹¹ Jones和2659%。此外，我们封装了一个高功率4×4 LED - PD阵列...

解读: 从阳光电源新能源综合解决方案的业务视角来看，这项254nm深紫外AlGaN集成模块技术虽非直接应用于光伏发电或储能系统，但在清洁能源生态系统的扩展应用场景中具有战略价值。 该技术的核心突破在于LED-PD集成架构实现了自监测功能，这与阳光电源在逆变器、储能系统中强调的智能监控理念高度契合。84%的...