Tomoyuki Shoji · Shuichi Nishida · Kimimori Hamada · Hiroshi Tadano · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月

本文利用切片观察技术研究了硅功率二极管中子诱发的单粒子烧毁（SEB）现象，揭示了环形微孔的形成机制。通过热扩散方程推导了SEB过程中局部温升的解析公式，证实了损伤区域的轴对称性源于各向同性的热扩散，为功率器件在极端环境下的可靠性评估提供了理论依据。

解读: 功率器件的可靠性是阳光电源逆变器及储能系统（如PowerTitan、ST系列PCS）的核心竞争力。SEB现象在户外高海拔或极端环境下对硅基功率器件构成潜在威胁。本文提出的热扩散分析方法及损伤观测技术，可指导阳光电源研发团队在器件选型、功率模块封装设计及散热优化中，更精准地评估器件在辐射环境下的鲁棒性...