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一种用于便携式DBD等离子体源设备的高驱动性能微秒脉冲功率模块
A High-Drive-Performance Microsecond Pulse Power Module for Portable DBD Plasma Source Device
Shanshan Jin · Sheng Wang · Kaixiang Zhao · Yunfeng Jiang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
便携式介质阻挡放电（DBD）等离子体源在生物医学工程领域应用前景广阔，但设备体积与放电性能是限制其应用的关键技术瓶颈。本文提出了一种用于DBD电极负载放电的高性能微秒脉冲功率模块（MPPM）系统。
解读: 该研究聚焦于微秒级高频脉冲功率模块的紧凑化设计，虽然其主要应用场景为等离子体源，但其高功率密度、高驱动性能的电路拓扑及模块化设计思路，对阳光电源的电力电子研发具有借鉴意义。特别是在功率模块的集成化封装、高频驱动电路的抗干扰设计以及便携式电源系统的体积优化方面，可为公司户用储能系统（如PowerSta...
高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化：电热与陷阱机制
Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms
Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
研究了在高压射频应力下，不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗，低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析，表明高阻抗下自热效应更强，但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速，加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试，识别出浅能级陷阱的激活是退化主因，并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。
解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制，可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域，可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...