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考虑死区效应的PMSM驱动系统H8逆变器有限控制集模型预测控制，以降低传导共模EMI和电流畸变
Finite Control Set–Model Predictive Control of H8 Inverter Considering Dead-Time Effect for PMSM Drive Systems With Reduced Conducted Common-Mode EMI and Current Distortions
Won-Sang Jeong · Sung-Hun Kim · Junsin Yi · Chung-Yuen Won · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
为降低永磁同步电机驱动系统中的传导共模EMI和电流总谐波畸变，本文提出了一种考虑死区效应的H8逆变器有限控制集模型预测控制（FCS-MPC）方法。针对实际系统中死区导致的共模电压峰值和电流畸变问题，该方法通过优化控制策略有效提升了系统性能。
解读: 该研究涉及的H8逆变器拓扑及共模EMI抑制技术，对阳光电源的电动汽车充电桩及电机驱动类产品具有参考价值。H8拓扑通过增加开关器件数量实现更优的共模电压控制，这与公司在提升充电桩电磁兼容性（EMC）和功率密度方面的技术演进方向一致。建议研发团队关注该文提出的死区补偿策略，以优化充电桩功率模块在高速开关...
通过隧穿过程工程实现非易失性存储器件的低功耗
Low power consumption of non-volatile memory device by tunneling process engineering
Fucheng Wang · Mengmeng Chu · Jingwen Chen · Zhong Pan 等8人 · Solid-State Electronics · 2025年6月 · Vol.226
摘要 与Si3N4和Al2O3相比，采用热氧化工艺生长的SiO2作为隧穿层具有带隙大、与硅片表面界面接触良好等优点，能够有效解决金属-绝缘体-半导体（MIS）器件的漏电流问题。本研究探讨了优化SiO2隧穿层对SiO2/HfAlOx/Al2O3结构MIS器件工作电压的影响。结果表明，随着隧穿层厚度的减小，器件的工作电压随之降低，在隧穿层厚度为1.5 nm时，最低工作电压仅为12 V。此外，我们发现当在850 °C N2气氛中对1.5 nm厚的SiO2隧穿层进行退火处理时，薄膜表面会产生针孔，此时器...
解读: 该非易失性存储器低功耗技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。通过优化SiO2隧穿层厚度至1.5nm可将工作电压降至12V,这一低压运行特性可应用于ST系列PCS的辅助电源管理和PowerTitan储能系统的状态存储模块,降低待机功耗。MIS结构的低漏电特性与我们三电平拓扑中的SiC/GaN器件栅极...