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排序:
功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

基于GaN的高频高能量传输推挽式超声脉冲逆变器

GaN-Based High-Frequency High-Energy Delivery Transformer Push–Pull Inverter for Ultrasound Pulsing Application

Han Peng · Juan Sabate · Kieran Andrew Wall · John S. Glaser · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年8月

本文研究了一种用于超声治疗系统的高频高压脉冲发生器。针对治疗应用中对MHz级脉冲爆发及长持续时间的需求,提出了一种基于GaN器件的推挽式逆变拓扑。该设计有效解决了高压切换下的能量传输与高频响应难题,实现了高功率密度与高效率的脉冲驱动。

解读: 该文献探讨了GaN器件在高频高压脉冲应用中的拓扑设计,体现了宽禁带半导体在提升功率密度方面的潜力。虽然超声应用与阳光电源的核心业务(光伏/储能)存在差异,但其高频驱动技术对阳光电源的研发具有参考价值:1. 在户用光伏逆变器或小型化充电桩中,利用GaN提升开关频率以减小磁性元件体积;2. 在iSola...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

基于PCB电感的13.56 MHz高功率密度DC-DC变换器

13.56 MHz High Density DC–DC Converter With PCB Inductors

Wei Liang · John Glaser · Juan Rivas · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年8月

本文提出了一种高功率密度、150–200 V转28 V、200–400 W的谐振式DC-DC变换器设计。该变换器开关频率高达13.56 MHz,采用PCB工艺制造的空芯环形电感,有效降低了电感偏差,简化了电路调试与实现难度。

解读: 该技术展示了极高开关频率(13.56 MHz)下的功率密度提升方案,对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有前瞻性参考价值。虽然目前主流产品受限于磁性元件损耗和EMI挑战,尚未达到MHz级开关频率,但PCB集成电感技术可作为未来提升功率密度、减小体积的关键储备。建议研发团队关注该拓扑在低压辅...