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排序:
功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

高频谐振与软开关DC-DC变换器中氮化镓晶体管的评估

Evaluation of Gallium Nitride Transistors in High Frequency Resonant and Soft-Switching DC–DC Converters

David Reusch · Johan Strydom · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年9月

氮化镓(GaN)功率器件相比成熟的硅(Si)MOSFET,具有实现更高效率和更高开关频率的潜力。本文评估了GaN晶体管在高频谐振和软开关应用中提升效率与功率密度的能力,并通过实验进行了验证。

解读: GaN作为第三代半导体,是阳光电源提升产品功率密度和转换效率的关键技术储备。在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中,利用GaN的高频特性可显著减小磁性元件体积,从而实现更轻便的产品设计。建议研发团队关注GaN在高频软开关拓扑(如LLC)中的应用,以优化PowerStack等储能系统中的DC-DC变换模...

系统集成 ★ 0.0

$90^\circ$-Valley Unified Controller for Zero-Voltage-Switching Quasi-Square-Wave (ZVS-QSW) Boost Converter

$90^\circ$-Valley Unified Controller for Zero-Voltage-Switching Quasi-Square-Wave (ZVS-QSW) Boost Converter

Branko Majmunović · Brent A. McDonald · Sheng-Yang Yu · Johan Strydom · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月

This article presents a novel control strategy for zero-voltage-switching (ZVS) quasi-square-wave boost converter. The controller is based on an exact, closed-form analytical solution of the converter, which is obtained under the assumption that the ...

拓扑与电路 光伏逆变器 LLC谐振 单相逆变器 ★ 4.0

一种基于MHz LCLCL谐振变换器的单级软开关隔离逆变器及其变频调制方法

A MHz LCLCL Resonant Converter Based Single-Stage Soft-Switching Isolated Inverter With Variable Frequency Modulation

Hao Wen · Dong Jiao · Jih-Sheng Lai · Johan Strydom 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

本文提出了一种基于MHz LCLCL谐振变换器的单级软开关隔离逆变器。相较于传统的两级式隔离逆变器,该方案通过直流整流正弦级与工频展开级的结合,减少了组件数量,降低了控制复杂度,并显著提升了功率密度与转换效率,适用于高频高效的电力电子变换场景。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要参考价值。通过采用MHz级高频软开关拓扑,可大幅缩小磁性元件体积,提升整机功率密度,符合当前户用产品轻量化、小型化的趋势。建议研发团队评估LCLCL谐振网络在高频下的寄生参数影响及EMI控制难度,探索其在下一代高效率户用组串式逆变器中的应用潜...

拓扑与电路 GaN器件 PFC整流 多电平 ★ 3.0

用于单相降压型功率因数校正的六电平飞跨电容多电平变换器

A Six-Level Flying Capacitor Multilevel Converter for Single-Phase Buck-Type Power Factor Correction

Enver Candan · Nathan C. Brooks · Andrew Stillwell · Rose A. Abramson 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月

本文研究了飞跨电容多电平(FCML)变换器在单相降压型功率因数校正(PFC)中的应用。利用氮化镓(GaN)晶体管的最新进展,提升了数据中心240V交流转48V直流转换级的功率密度。

解读: 该研究探讨的六电平FCML拓扑结合GaN器件,显著提升了功率密度,这对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩业务具有参考价值。随着户用产品对体积和效率要求的不断提高,采用高频化、多电平化的拓扑结构是未来趋势。建议研发团队关注该拓扑在小功率AC/DC变换中的应用潜力,特别是在追求极致功率密度的充电桩模块或微...