Jiahui Zheng · Zhihao Tao · Zhuangzhuang Li · Xuanyu Shan 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年8月

宽带隙金属氧化物半导体具备适用于神经形态视觉系统的特性，包括高光吸收效率和持续光电导性。然而，它们对低能量光子的响应能力有限，这阻碍了需要颜色辨别和多光谱信号处理的应用。为应对这一挑战，我们开发了一种具有多波长响应的缺氧铟镓锌氧化物（IGZO）/氧化铪（HfOx）异质结忆阻器。该器件在350 - 680纳米光照下展现出突触功能，如兴奋性突触后电流、双脉冲易化以及图像感知 - 记忆整合。利用光增强和电抑制特性，彩色图像识别在人工神经网络中的准确率达到了85.8%。IGZO的可见光响应归因于能够捕获...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项IGZO/HfOx异质结光电忆阻器技术虽然聚焦于神经形态视觉系统，但其底层创新对我司智能化产品线具有重要参考价值。 该技术的核心突破在于通过氧缺陷工程实现宽带隙氧化物半导体的全光谱响应（350-680nm），这为光伏系统的智能感知提供了新思路。在我司光伏逆变器和储能系...