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用于高频ZVS全桥变换器的双通道推挽隔离谐振栅极驱动器
Dual-Channel Push–Pull Isolated Resonant Gate Driver for High-Frequency ZVS Full-Bridge Converters
Qunfang Wu · Qin Wang · Jinyi Zhu · Xiao Lan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月
本文提出了一种新型零电流开关（ZCS）双通道推挽隔离谐振栅极驱动器（DPIRGD），旨在驱动高频开关全桥变换器桥臂中的一对功率MOSFET。该驱动器具备提供两路隔离互补驱动信号、低栅极驱动损耗及高关断可靠性等特性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重要价值。在高频化趋势下，组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）对开关频率的要求不断提升，以实现更高功率密度。该驱动电路通过降低栅极驱动损耗和提升关断可靠性，可直接优化功率模块的效率与热管理。建议研发团队评估该拓扑在SiC/G...
一种集成平面平行电容器的全氮化镓级联器件，具有高动态击穿电压和高开关性能
An All-GaN cascode device with integrated plane-parallel capacitor with high dynamic breakdown voltage and high switching performance
Jinyi Wang · Yian Yin · Qiao Sun · Chunxiao Zhao 等9人 · Solid-State Electronics · 2025年11月 · Vol.229
摘要 全氮化镓（All-GaN）级联器件已被证明比独立的增强型（E-mode）器件具有更高的开关速度。然而，在器件的开关过程中，其击穿电压会显著下降，这将大大降低器件的可靠性，尤其是在存在电压过冲的情况下。本文提出了一种集成平面平行电容器结构的全氮化镓级联结构，并将开关过程中的击穿电压定义为动态击穿电压。测试结果表明，与传统结构相比，该结构的动态击穿电压从497 V提高到639 V。此外，搭建了双脉冲测试电路，用于在不同条件下测试全氮化镓级联器件的开关性能，结果证明，全氮化镓级联器件的串联结构能...
解读: 该全氮化镓级联器件技术对阳光电源功率变换系统具有重要价值。集成平面电容结构将动态击穿电压提升至639V，可显著提升ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器在高频开关工况下的可靠性。其高速开关特性与阳光电源三电平拓扑技术协同，可优化1500V系统的开关损耗和EMI性能。该技术在充电桩OBC和电机驱动等高...