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基于串联混合储能的马克思发生器
A Marx Generator Based on Series Hybrid Energy Storage
Xiaojing Ren · Weihua Jiang · Jingming Gao · Hanwu Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
混合储能(HES)作为电容或电感储能的替代方案,在产生灵活波形和缩短上升时间方面具有显著优势。根据电容与电感的连接方式,HES可分为串联(s-HES)和并联(p-HES)。本文探讨了基于s-HES的马克思发生器拓扑,旨在优化脉冲功率系统的性能。
解读: 该文章探讨的串联混合储能(s-HES)拓扑主要针对脉冲功率应用,与阳光电源现有的PowerTitan、PowerStack等工商业及电网侧储能系统在应用场景上有显著差异。然而,其在提升功率密度、优化电流波形控制及缩短响应时间方面的电路设计思路,可为公司下一代PCS(储能变流器)的功率模块拓扑创新提供...
电力供应系统中可调磁脉冲压缩器的研究
Investigation on Adjustable Magnetic Pulse Compressor in Power Supply System
Song Li · Jingming Gao · Hanwu Yang · Danni Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年2月
本文研究了一种基于磁开关的可调高功率磁脉冲压缩器。磁脉冲压缩器是高压脉冲产生的关键组件,但其运行参数的可调性不足限制了应用。本文提出的可调设计旨在解决这一瓶颈,为高压脉冲电源系统提供更灵活的解决方案。
解读: 该技术主要针对高压脉冲电源领域,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等主流电力电子产品在拓扑结构上有较大差异。目前阳光电源的产品线多基于IGBT/SiC的电力电子变换技术,而非磁脉冲压缩技术。但在高压特种电源或未来极端工况下的功率脉冲处理研究中,该技术可作为前沿拓扑储备,用于提升系统在特定...
基于峰值杂散栅极电流的高功率晶闸管局部结温在线监测
Online Monitoring Local Junction Temperature of High-Power Thyristors Based on Peak Stray Gate Current
Yijie Sun · Hanwen Zhang · Rong Chen · Diangeng Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
高功率晶闸管中电流分布不均会导致局部结温(Tlj)显著升高,威胁器件可靠性。本文提出了一种基于峰值杂散栅极电流(ipsg)的温度敏感电参数监测方法,通过建立简化关断模型,实现了对局部结温的在线监测。
解读: 该研究关注高功率半导体器件的结温监测与可靠性,虽然阳光电源目前的主流产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC MOSFET,但在大功率集中式逆变器或特定高压直流输电应用中,晶闸管类器件仍有应用场景。该监测方法对提升大功率电力电子设备的运行可靠性具有参考价值,建议研...
面向高功率微波源的Fe-β-Ga2O3光电导半导体器件输出特性测试
Test on the Output Characteristics of Fe-β-Ga2O3 Photoconductive Semiconductor Device Toward High-Power Microwave Sources
Tianjiao Shen · Langning Wang · Ting He · Li'Ao Yang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
我们聚焦于用于高功率微波源应用的 Fe - β - Ga₂O₃ 光电导半导体器件(PCSD)。我们测试并分析了该器件的输出特性,包括其暗态电阻(10¹³ Ω)、暗态耐压(31.6 kV)、光电导输出和高频响应。当受到半高宽(FWHM)均为 10 ns 的 532 nm 和 1064 nm 单脉冲激光照射时,Fe - β - Ga₂O₃ 光电导半导体器件以线性模式工作。在 532 nm 激光照射下的峰值电压输出是 1064 nm 激光照射下的 18 倍。然而,其光响应度相对较低,最高值仅达到 10...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项Fe-β-Ga2O3光导半导体器件研究虽然主要面向高功率微波源应用,但其核心技术特性对我们在光伏逆变器和储能系统中的功率半导体器件应用具有一定参考价值。 该器件展现出的超高暗态电阻(10¹³Ω)和31.6kV耐压能力,反映了β-Ga2O3材料在宽禁带半导体领域的潜力。...