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通过准方波零电压开关和片上动态死区控制同步栅极驱动实现高频高效非隔离升压变换器
Enabling High-Frequency High-Efficiency Non-Isolated Boost Converters With Quasi-Square-Wave Zero-Voltage Switching and On-Chip Dynamic Dead-Time-Controlled Synchronous Gate Drive
Jing Xue · Hoi Lee · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年12月
本文提出了一种准方波零电压开关（QSW-ZVS）升压变换器拓扑，旨在高频和高压条件下实现高效率。该方案无需耦合电感，有效降低了功率级的开关损耗，并通过片上动态死区控制技术优化了同步整流驱动，提升了变换器的整体性能。
解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及户用储能系统具有重要参考价值。随着光伏逆变器功率密度要求的不断提升，高频化是核心趋势。QSW-ZVS技术能在不增加磁性元件复杂度的前提下降低开关损耗，有助于减小散热器体积，提升整机功率密度。建议研发团队关注该拓扑在户用逆变器升压级（Boost Stage）的应用潜...
通过具有BN插入层的范德华外延GaN实现高开/关电流比AlGaN/GaN HEMT
High-On/Off-Current-Ratio AlGaN/GaN HEMTs via Van Der Waals Epitaxy GaN With a BN Inset Layer
Haoran Zhang · Jing Ning · Shiyu Li · Xue Shen 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
在氮化物异质外延中，晶格失配和热应力不可避免地会导致位错增殖和缺陷形成，从而严重降低器件的可靠性。在本文中，我们展示了通过范德瓦尔斯外延在二维高质量氮化硼（h - BN）材料上实现氮化物异质结结构的高质量外延生长。此外，利用氮化硼的超宽带隙特性，其在制备的金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管（MIS - HEMT）中还可作为栅极电介质。缓冲层辅助异质结构与超宽带隙氮化硼电介质的综合优势使栅极泄漏电流降低了 $10^{{3}}$ 倍。此外，所提出的器件展现出 $10~^{\mathbf ...
解读: 从阳光电源功率器件应用角度来看，这项基于范德华外延和BN插入层的AlGaN/GaN HEMT技术展现出显著的战略价值。该技术通过二维六方氮化硼(h-BN)作为缓冲层和栅介质，有效解决了传统氮化物异质外延中晶格失配和热应力导致的位错增殖问题，这直接关系到我司光伏逆变器和储能变流器中功率器件的长期可靠性...