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缺陷演化对14 MeV中子辐照后AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响
The impact of defect evolution on the electrical performance of AlGaN/GaN HEMT after 14-MeV neutron irradiation
Von Bardeleben · Van De Walle · China Machine Press · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126
研究了14 MeV中子辐照及退火处理对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）电学性能与缺陷演化关系的影响。随着辐照注量增加，器件的漏极电流、跨导及载流子浓度显著下降，而反向栅泄漏电流上升。通过深能级瞬态谱技术分析发现，中子辐照引入了多个深能级缺陷，其浓度随注量增加而升高，且在退火过程中部分缺陷发生转化或湮灭。研究表明，位移损伤导致的点缺陷及其演化进程是电学性能退化的主要机制，为HEMT在辐射环境中的可靠性评估提供了重要依据。
解读: 该GaN HEMT中子辐照损伤机理研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的深能级缺陷演化规律可指导SG系列光伏逆变器、ST储能变流器及电动汽车驱动系统中GaN器件的可靠性设计。针对辐照引起的载流子浓度下降、栅泄漏增加等退化机制，可优化器件筛选标准和老化测试方案。退火处理对缺陷的修复效应...
基于单脉冲注入的直流微电网线路电阻主动辨识方法
Active Identification Method for Line Resistance in DC Microgrid Based on Single Pulse Injection
Chen Liu · Jinbin Zhao · Shanshan Wang · Wu Lu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
在直流微电网中，并联变换器的线路电阻会导致传统下垂控制精度下降。本文提出了一种基于直流微电网特定系统结构的线路电阻主动辨识方法。通过主动注入脉冲扰动并检测输出电压和电流的变化，实现对线路电阻的精确辨识。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及微电网解决方案具有重要意义。在多机并联运行场景下，线路阻抗差异常导致功率分配不均，影响系统稳定性。该主动辨识方法无需额外硬件，仅通过控制算法即可实现参数自适应，有助于提升阳光电源PCS产品在复杂微电网环境下的均流精度与控制鲁...