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一种改进的无线电能传输系统混合频率步进调制方法
An Improved Hybrid Frequency Pacing Modulation for Wireless Power Transfer Systems
Jiaqi Tang · Qianfan Zhang · Chao Cui · Tuopu Na 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
零电压开关（ZVS）技术广泛用于提高无线电能传输（WPT）系统的效率并降低电磁干扰。混合频率步进（HFP）调制是一种优异的WPT系统调制方法，无需改变电流频率或增加辅助元件即可实现全负载范围的ZVS。该文提出了一种改进的HFP方法，旨在进一步优化系统性能。
解读: 该文献探讨的无线电能传输（WPT）及ZVS调制技术，目前主要应用于电动汽车无线充电领域。阳光电源在电动汽车充电桩业务中，目前以有线充电解决方案为主。虽然WPT技术在未来大功率充电或特定工业场景（如AGV自动充电）具有潜力，但与当前阳光电源主流的光伏逆变器、储能变流器（PCS）及有线充电桩产品线关联度...
一种用于无线电能传输系统的新型全桥步进密度调制
A Novel Full-Bridge Step Density Modulation for Wireless Power Transfer Systems
Jiaqi Tang · Tuopu Na · Qianfan Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
本文提出了一种用于无线电能传输（WPT）系统的新型全桥步进密度调制（FB-SDM）方法。该方法基于步进密度平均原理，旨在实现全范围的零电压开关（ZVS）操作，以满足WPT系统对高效率的严苛要求，并对比了现有的脉冲密度调制等方案。
解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的核心业务集中在有线光伏逆变器、储能系统及有线充电桩，但该调制策略（FB-SDM）在实现全范围ZVS方面具有显著优势。对于阳光电源而言，此技术可作为未来电动汽车无线充电产品线的技术储备，通过优化全桥变换器的开关损耗，提升无线充电效率。建议研发...
无线电能传输系统的采样数据建模
Sampled-Data Modeling for Wireless Power Transfer Systems
Jiaqi Tang · Shuai Dong · Chao Cui · Qianfan Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
本文提出了一种基于采样数据法的无线电能传输（WPT）系统动态建模方法。该模型阶数与系统物理阶数一致，避免了传统建模方法中模型阶数翻倍的问题。该系统化分析过程适用于任何WPT拓扑，且具有通用性。
解读: 该文献提出的采样数据建模方法主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能系统、充电桩）主要基于有线电力电子变换，但该建模方法在提升电力电子变换器动态响应精度和控制稳定性方面具有参考价值。对于阳光电源的电动汽车充电桩业务，未来若涉及无线充电技术储备，该建模方法可用于...
不均匀温度分布对压接式IGBT电极翘曲的影响
Influence of the Uneven Temperature Distribution on the Electrode Warpage of PP IGBTs
Yiming Zhang · Erping Deng · Jiaqi Guo · Zhibin Zhao 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
本文研究了压接式IGBT（PP IGBT）内部压力与结温分布不均匀的问题。通过分析热机械耦合效应，探讨了垂直和水平温度梯度对电极翘曲的诱导机制，旨在揭示电极翘曲的根本原因，为功率模块的结构优化提供理论支撑。
解读: 压接式IGBT（PP IGBT）是阳光电源大型集中式光伏逆变器及高压储能系统（如PowerTitan系列）中功率模块的核心组件。该研究揭示了电极翘曲的机理，对于提升高功率密度模块的散热设计与长期可靠性至关重要。建议研发团队在模块封装设计阶段引入该热机械耦合模型，优化压力分布，以降低极端工况下的失效风...
基于HfAlOx电荷俘获层介质与原位O3处理的InAlN/GaN MIS-HEMT器件栅极漏电流和击穿电压的改善
Improved gate leakage current and breakdown voltage of InAlN/GaN MIS-HEMTs by HfAlOx-based charge-trapping layer dielectric and _in situ_ O3 treatment
Fangzhou Du · Yang Jiang · Hong Kong · Peiran Wang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了一种通过引入HfAlOx基电荷俘获层介质并结合原位O3处理，显著改善InAlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）性能的方法。该工艺有效抑制了栅极漏电流，同时提升了器件的击穿电压。HfAlOx层可捕获界面正电荷，降低电场峰值，而原位O3处理则优化了介质/半导体界面质量，减少缺陷态密度。实验结果表明，器件的栅极泄漏电流显著降低，反向击穿电压大幅提高，为高性能GaN基功率器件的研制提供了可行的技术路径。
解读: 该研究的HfAlOx介质与O3处理工艺对阳光电源的GaN功率器件开发具有重要参考价值。通过降低栅极漏电流和提高击穿电压,可显著提升GaN器件在高频应用场景下的可靠性,特别适用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频DC-DC模块。该技术可优化阳光电源产品的功率密度和转换效率:在光伏逆变器中可实...