找到 1 条结果

排序:
拓扑与电路 GaN器件 三电平 三相逆变器 ★ 4.0

一种99.3%效率的10kW三相三电平混合GaN/Si有源中点钳位变换器的设计流程与效率分析

Design Procedure and Efficiency Analysis of a 99.3% Efficient 10 kW Three-Phase Three-Level Hybrid GaN/Si Active Neutral Point Clamped Converter

Mohammad Najjar · Alireza Kouchaki · Jesper Nielsen · Radu Dan Lazar 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月

本文针对电机驱动和有源整流应用,探讨了高效率、高功率密度AC-DC变换器的设计。通过引入氮化镓(GaN)宽禁带器件,结合三相三电平有源中点钳位(ANPC)拓扑,实现了99.3%的转换效率。文章详细阐述了混合GaN/Si器件的设计流程及效率优化策略,验证了宽禁带技术在提升功率密度方面的显著优势。

解读: 该研究采用的ANPC拓扑与GaN/Si混合驱动技术,对阳光电源的组串式光伏逆变器及户用储能PCS产品具有重要的参考价值。随着光伏逆变器向更高功率密度和更小体积演进,利用GaN器件的高频开关特性可显著减小磁性元件体积。建议研发团队关注该混合拓扑在阳光电源下一代高频化逆变器中的应用,特别是在提升户用机型...