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考虑边缘电场的铜箔中压滤波电感寄生电容建模
Parasitic Capacitance Modeling of Copper-Foiled Medium-Voltage Filter Inductors Considering Fringe Electrical Field
Hongbo Zhao · Zhizhao Huang · Dipen Narendra Dalal · Jannick Kjaer Jorgensen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文针对铜箔中压电感中的三种寄生电容进行了特性分析。研究发现,传统建模方法忽略了边缘电场效应,导致寄生电容计算不准确。为此,本文识别了由边缘电场贡献的寄生电容,并提出了改进的建模方法以提高电感高频特性的预测精度。
解读: 该研究对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中的中压滤波电感设计具有重要参考价值。随着功率密度提升,高频寄生参数对电磁兼容(EMC)和效率的影响日益显著。通过引入边缘电场修正模型,研发团队可优化电感绕组结构,降低高频损耗,提升逆变器及PCS产品的功率密度和可靠性...