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拓扑与电路 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

用于纳秒脉冲的紧凑型快速开关固态Marx调制器

Compact Solid-State Marx Modulator With Fast Switching for Nanosecond Pulse

Jung-Soo Bae · Tae-Hyun Kim · Seong-Ho Son · Chang-Hyun Gwon 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

本文介绍了一种基于模块化结构的紧凑型固态Marx调制器(SSMM),具有快速上升时间和短脉宽特性。通过堆叠具有高压和快速开关能力的TO-263-7封装碳化硅(SiC)MOSFET,该电路设计包含Marx电容、负载脉冲导通开关及关断开关等组件。

解读: 该文献探讨的固态Marx调制器及高压SiC MOSFET堆叠技术,主要应用于高压脉冲功率领域,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩产品线在应用场景上差异较大。然而,其核心技术点——SiC器件的高压快速开关特性及模块化堆叠设计,对阳光电源未来探索更高功率密度、更高电压等级的功率变换器(如更高...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 储能变流器PCS ★ 4.0

采用简单电压平衡方法的串联堆叠模块化DC-DC变换器

Series Stacked Modular DC–DC Converter Using Simple Voltage Balancing Method

Jung-Soo Bae · Tae-Hyun Kim · Seong-Ho Son · Hyoung-Suk Kim 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月

本文提出了一种采用模块化串联堆叠结构的高输出电压DC-DC变换器拓扑。设计重点在于实现模块间的输出电压平衡及简化控制电路。通过提出一种分裂次级变压器绕组方案,有效解决了模块间的电压均衡问题,并简化了系统控制复杂度。

解读: 该拓扑结构对于阳光电源的高压光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进,模块化串联堆叠技术能有效降低单管电压应力,提升系统功率密度。建议研发团队关注该“分裂次级绕组”平衡方案,评估其在多模块并联/串联储能PCS中的应用潜力,以...

拓扑与电路 三电平 三相逆变器 PWM控制 ★ 5.0

基于自举栅极驱动电路的三电平NPC逆变器载波PWM控制策略

A Carrier-Based PWM Control Strategy for Three-Level NPC Inverter Based on Bootstrap Gate Drive Circuit

Jun-Hyung Jung · Hyun-Keun Ku · Won-Sang Im · Jang-Mok Kim · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年1月

本文提出了一种针对三电平中点钳位(NPC)逆变器的载波PWM控制策略,该策略适配自举栅极驱动电路。自举电路在三电平NPC逆变器中具有降低成本和实现紧凑设计的优势,但其存在电容电压平衡及驱动限制等挑战。本文通过优化PWM调制方案,解决了自举电路在三电平拓扑中的应用局限,提升了系统运行效率。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——组串式及集中式光伏逆变器。三电平NPC拓扑是阳光电源高功率密度逆变器的主流技术路线。引入自举驱动电路方案有助于进一步精简驱动板设计,降低硬件成本并提升整机功率密度,特别适用于户用及工商业组串式逆变器。建议研发团队评估该调制策略在极端工况下的电容电压稳定性,并验证...

储能系统技术 储能系统 工商业光伏 ★ 5.0

互补型场效应晶体管中重离子效应引起的单粒子瞬态分析

Analysis on Single-Event Transients in Complementary FETs With Heavy Ion Effects

Jonghwa Jeong · Jang Hyun Kim · Hyunwoo Kim · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月

本研究首次报道了重离子在互补型场效应晶体管(CFET)中引发的单粒子瞬态(SET)现象。鉴于α粒子和重离子等辐射粒子在地面环境中亦可导致硅材料内产生电子-空穴对并引发电流扰动,进而造成软错误,本文采用商用TCAD工具对CFET中的SET特性进行了评估。通过对比门极全环绕纳米片FET与CFET在反相器工作下的瞬态响应,发现当重离子垂直入射于沟道中心且轨迹半径小于50 nm时,CFET因垂直堆叠结构而表现出更强的抗辐射能力。进一步研究表明,直接集成于衬底上的晶体管主导了辐射响应行为,而引入底部介质隔...

解读: 该CFET单粒子瞬态抗辐射研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的垂直堆叠结构抗辐射优势及底部介质隔离(BDI)设计,可指导ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中SiC/GaN功率模块的抗干扰设计。高海拔光伏电站和户外储能系统面临宇宙射线引发的软错误风险,该研究提出的CFET架构优化方案...