找到 2 条结果
一种17.5 kA关断电流的6英寸集成门极换流晶闸管
A 6-in Integrated Emitter Turn-OFF Thyristor With 17.5 kA Turn-OFF Current
Jie Shang · Zhengyu Chen · Biao Zhao · Jiapeng Liu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文提出并开发了一种先进的6英寸4.5 kV集成门极换流晶闸管（IETO），通过优化封装设计和驱动单元，实现了17.5 kA的超大关断电流。研究重点在于低厚度封装及紧凑型碟形弹簧组件的应用，显著提升了器件的通态压降与关断能力，满足了高容量电力电子设备的需求。
解读: 该技术属于超大功率半导体器件范畴，主要应用于特高压直流输电或极高功率等级的工业应用。对于阳光电源而言，目前的组串式及集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统主要采用IGBT或SiC模块，IETO器件的功率密度和应用场景与现有产品线存在差异。但其在超大电流关断方面的研究成果，可为公司未来探索更高...
一种低损耗的IETO-IGBT混合概念
An IETO-IGBT Hybrid Concept With Reduced Losses
Jakob Teichrib · Shweta Tiwari · Ala Qawasmi · Rik W. De Doncker · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
功率电子系统的效率高度依赖于所采用的半导体器件。降低器件损耗不仅能提升投资回报率，还能降低冷却需求并提升功率密度。本文提出了一种用于中压DC-DC变换器的新型功率半导体器件概念，通过集成发射极关断晶闸管（IETO）与IGBT，旨在优化开关损耗与导通损耗的平衡。
解读: 该研究提出的IETO-IGBT混合器件概念对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。在PowerTitan和PowerStack等大功率储能系统以及集中式光伏逆变器中，DC-DC变换级和逆变级的效率直接决定了系统的整体性能与散热成本。若该混合器件能有效降低中压应用下的开关损耗，将有助于进一步提升阳光电...