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基于前馈纹波等效建模的级联变换器稳定性分析
Stability Analysis of Cascaded Converter via Equivalent Modeling of Feedforward Ripple
Xi Zhang · Dahui Lu · Han Bao · Xiaohui Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
在级联变换器系统中，负载侧变换器的输入电流纹波会前馈至源侧变换器，对系统稳定性产生显著影响。由于负载侧变换器引入了额外的阶数和复杂的开关序列，导致稳定性分析难度增加。本文提出了一种基于前馈纹波等效建模的方法，旨在简化分析过程并揭示级联系统的稳定性机理。
解读: 该研究对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及光伏组串式逆变器具有重要参考价值。在多级功率变换架构中，级联带来的阻抗交互和纹波前馈是导致系统振荡或不稳定的关键因素。通过该等效建模方法，研发团队可更精准地优化PCS及逆变器的控制环路参数，提升系统在弱电网环境下的鲁棒性。建...
级联Buck变换器中负载变换器对源变换器的稳定性影响
Stability Effect of Load Converter on Source Converter in a Cascaded Buck Converter
Xi Zhang · Tianshi Wang · Han Bao · Yihua Hu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
在级联功率变换器中，负载变换器的输入电流纹波会前馈至源变换器的输出电容，从而改变其输出电压和电流纹波特性。本文通过构建包含两个峰值电压纹波的级联系统模型，深入研究了这种前馈电流纹波对源变换器稳定性的影响机制。
解读: 该研究对于阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及光储一体化系统中的多级DC-DC变换架构具有重要参考价值。在储能PCS设计中，级联架构常用于实现宽电压范围的电池接入与直流母线稳压。通过深入理解负载侧变换器对源侧的稳定性影响及纹波耦合机制，研发团队可优化控制环路设计，抑制...
基于Sigmoid函数的级联变换器前馈电流纹波建模及稳定性分析
Sigmoid Function–Based Discontinuous Feedforward Current Ripple Modeling for Stability Analysis of Cascaded Converter
Xi Zhang · Rongxin Xia · Han Bao · Xiaohui Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
级联变换器在源端与负载端变换器的开关纹波相互作用下，表现为具有多个开关状态序列的高阶系统，这阻碍了对前馈电流纹波（FCR）稳定性影响的研究。本文提出一种基于Sigmoid函数的建模方法，克服了传统傅里叶级数法在分析不连续开关纹波时的局限性，为级联系统的稳定性分析提供了更精确的数学工具。
解读: 该研究针对级联变换器（如光伏组串式逆变器与DC/DC优化器级联，或储能系统中的多级变换架构）的稳定性问题，提出了更精确的纹波建模方法。对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器产品线，该技术有助于优化多级变换架构下的控制环路设计，特别是在弱电网环境下，能有效提升...
基于等效多段线性电流纹波的级联变换器稳定性分析
Stability Analysis for Cascaded Converter Using Equivalent Multi-PWL Current Ripple
Xi Zhang · Junhao Xue · Han Bao · Xiaohui Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
在级联变换器中，负载侧变换器的输入电流纹波会前馈至源侧变换器，导致系统不稳定。由于级联系统阶数较高，稳定性分析困难。本文提出了一种多段线性（PWL）电流负载模型，有效简化了高阶系统的稳定性分析，为级联变换器的设计提供了理论支撑。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式逆变器及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）至关重要。在光储一体化系统中，DC/DC变换器与逆变器级联是核心架构，电流纹波前馈引发的振荡是影响系统并网稳定性的关键问题。通过引入多段线性模型，研发团队可更精准地优化控制环路参数，提升在弱电网环境下的系统稳定...
同时改善具有氧化合金状氮化铪界面层的Ge n/p-FinFET及反相器的电学特性
Simultaneously Improved Electrical Characteristics of Ge n/p-FinFETs and Inverter With Oxidized Alloy-Like Hafnium Nitride Interfacial Layer
Dun-Bao Ruan · Kuei-Shu Chang-Liao · Cheng-Han Li · Zefu Zhao 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
为了同时改善锗（Ge） n 沟道和 p 沟道场效应晶体管（FET）的电学特性，本文提出了一种在锗鳍式场效应晶体管（nFinFET）、p 型鳍式场效应晶体管（pFinFET）和互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器上采用氧化程度约为 10%的类合金界面层（IL）的界面层工程。得益于通过合适的氧化工艺在类合金和富氧界面层之间实现的权衡平衡，锗 nFinFET 和 pFinFET 均表现出更低的等效氧化层厚度（EOT）值、更低的泄漏电流、更少的边界陷阱、更低的界面态密度（DIT）值、更低的亚阈值摆幅（...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于锗（Ge）FinFET的界面层工程技术对我们的核心产品具有重要的潜在价值。该技术通过氧化类合金铪氮化物界面层同时改善n型和p型器件特性，实现了更低的等效氧化层厚度（EOT）、更低的漏电流和更高的开关电流比，这些特性直接对应着我们光伏逆变器和储能变流器中功率半导体器件...