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排序:
功率器件技术
SiC器件
宽禁带半导体
可靠性分析
★ 5.0
高温存储应力
HTSS)对高压4H-SiC结势垒肖特基二极管退化的影响
Shuai Yang · Yuming Zhang · Qingwen Song · Xiaoyan Tang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文研究了高温存储应力(HTSS,高达275°C)对高压4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管在空气环境下的热稳定性影响。通过详细分析HTSS测试后二极管电参数的漂移,揭示了其退化机制,为宽禁带半导体器件的长期可靠性评估提供了重要参考。
解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)中SiC功率模块的可靠性。随着公司产品向高功率密度、高工作温度方向迭代,SiC JBS二极管在极端环境下的退化机制研究至关重要。建议研发团队参考该HTSS测试方法,建立SiC器件的长期热应力失效模型,优化...