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具有栅极对准图案化AlScN叠层的铁电HEMT抑制负DIBL效应
Suppressed Negative DIBL of Ferroelectric HEMT With Gate-Align Patterned AlScN Stack
Gyuhyung Lee · Hyeong Jun Joo · Seung Yoon Oh · Geonwook Yoo · IEEE Electron Device Letters · 2025年5月
在本文中，我们展示了一种具有栅极对齐图案化 AlScN 堆叠结构的铁电氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），该结构可抑制负漏致势垒降低效应。通过防止高负栅 - 漏偏压引起的铁电极化意外极化，该铁电高电子迁移率晶体管（FeHEMT）即使在高漏极电压下也表现出明显的逆时针迟滞现象和陡峭的亚阈值摆幅（SS）。此外，该结构具有增强的栅极可控性，亚阈值摆幅低至 13 毫伏/十倍频，并且记忆窗口会随栅极电压扫描范围的增大而增大。研究结果凸显了所提出的铁电高电子迁移率晶体管在基于氮化镓的逻辑电路和节...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于铁电AlScN堆栈的GaN HEMT技术具有显著的战略价值。该技术通过栅极对准图案化设计有效抑制了负漏致势垒降低效应，实现了13 mV/dec的陡峭亚阈值摆幅，这对我们的核心产品具有重要意义。 在光伏逆变器和储能变流器领域，功率器件的开关性能直接影响系统效率和功率...
通过减小去极化场效应提高铁电GaN HEMT的可靠性
Enhanced Reliability of Ferroelectric GaN HEMTs With Reduced Depolarization-Field Effect
Hyeong Jun Joo · Gyuhyung Lee · Yoojin Lim · Brendan Hanrahan 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年8月
在本研究中，我们探究了AlGaN势垒层的退极化场效应对采用AlScN/HfO₂栅堆叠结构的铁电GaN高电子迁移率晶体管（FeHEMT）的影响。我们制备并表征了凹槽栅和非凹槽栅两种结构，不仅用于比较记忆窗口和阈值电压可调性，还用于分析退极化场效应对循环特性和耐久性的影响。快速斜坡脉冲电流 - 电压测量通过排除AlScN层的铁电极化切换，揭示了这两种结构之间的差异。由于减少了AlGaN层，实现并保持了优异的铁电切换特性。凹槽栅FeHEMT在基于GaN的新兴存储器和神经形态器件方面具有良好的应用前景。
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项铁电GaN HEMT技术虽然聚焦于存储器和神经形态器件，但其底层的GaN功率器件创新对我们的核心业务具有潜在战略价值。 **技术关联性分析**：阳光电源的光伏逆变器和储能变流器高度依赖高性能功率半导体。该研究通过优化AlScN/HfO2栅极堆栈和采用凹栅结构，显著降低...