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功率器件技术 GaN器件 IGBT 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于数字死区平均电流控制与负载电流前馈的主动纹波抑制技术

Active Ripple Suppression Technique Based on Digital Dead-Beat Average Current Control and Load Current Feed-Forward for IGBT and GaN Hybrid Half-Bridge Circuit in Fractional Power Processing Mode

Yanyan Jin · Guihua Mao · Nengmou Xu · Yingjie He 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年10月 · Vol.73

本文针对IGBT与GaN混合半桥电路在分数功率处理模式下的负载动态响应差问题,提出一种结合数字死区平均电流控制与双支路负载电流前馈的主动纹波抑制技术,显著提升瞬态性能,并通过实验验证了其有效性。

解读: 该技术可直接应用于阳光电源ST系列储能变流器(PCS)及PowerTitan液冷储能系统中的多电平/混合开关拓扑,提升宽禁带器件协同效率与动态响应能力。建议在下一代高功率密度组串式逆变器和光储一体机中引入IGBT-GaN混合桥臂设计,结合iSolarCloud平台实现自适应死区控制参数在线优化,增强...