含PbTe纳米 inclusion 的宽禁带II-VI族二极管用于红外探测与光伏应用

Wide gap II-VI diodes with PbTe nano-inclusions for infrared detection and photovoltaics

Jakub Mateusz Gluch · Michal Szot · Sergij Chusnutdinow · Grzegorz Karczewski · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了基于宽禁带II-VI族半导体并引入PbTe纳米 inclusion 的新型异质结二极管，旨在实现高效红外探测与光伏转换。通过分子束外延技术精确控制PbTe纳米结构的嵌入，显著增强了材料在近红外至中红外波段的光吸收特性。器件表现出良好的整流行为和明显的光电响应，其零偏压探测率在室温下达到可观水平。研究结果表明，该结构在无需制冷的红外光电探测器及扩展光谱响应的光伏器件方面具有潜在应用价值。

解读: 该宽禁带II-VI族半导体与PbTe纳米结构复合技术对阳光电源光伏产品线具有前瞻性参考价值。其近红外至中红外波段光吸收增强特性可启发SG系列逆变器配套组件的光谱响应拓展，特别是在弱光和散射光条件下提升发电效率。零偏压室温探测能力为iSolarCloud智能运维平台的组件热斑检测、红外故障诊断提供新型...