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短路状态下IGBT高频输入阻抗的测量
Measurement of IGBT High-Frequency Input Impedance in Short Circuit
Carmine Abbate · Giovanni Busatto · Annunziata Sanseverino · Francesco Velardi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年1月
本文研究了IGBT在短路工况下的不稳定性问题。通过线性振荡器理论，分析了驱动和负载条件对器件稳定性的影响。文章重点探讨了如何通过测量IGBT的输入/输出阻抗来评估其在实际电力电子系统中的稳定性，旨在提升功率变换器的鲁棒性与可靠性。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如集中式/组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有极高的应用价值。在这些高功率密度系统中，IGBT作为功率转换的核心，其短路保护与稳定性直接决定了产品的可靠性。通过掌握IGBT在高频下的阻抗特性，研发团队可优化驱动电路设计，有效抑制短路过程中的寄...
GaN半桥短路耐受性分析的增强行为建模
Enhanced Behavioral Modeling for GaN Half-Bridge Short-Circuit Analysis
Simone Palazzo · Thiago Pereira · Yoann Pascal · Giovanni Busatto 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年5月
氮化镓(GaN)晶体管因高功率密度和高效率在工业和汽车应用中日益流行,但可靠性和鲁棒性仍限制其广泛采用。短路(SC)鲁棒性已被广泛实验研究,但GaN HEMT短路条件运行仿真因缺乏准确模型描述漏电流崩塌和栅漏电流增加等主要现象而受限。本文提出650V/60A GaN HEMT漏极和栅极电流行为模型,集成到LTSpice制造商模型中。所提模型在GaN半桥短路期间确定漏极和栅极电流的精度显著提高,适用于其他650V GaN HEMT,成为仿真器件和设计有效短路保护电路的可靠工具。
解读: 该GaN短路建模技术对阳光电源GaN器件应用和保护电路设计有重要参考价值。行为模型可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的GaN功率模块短路仿真,优化保护电路设计并提高可靠性。该技术对工商业光伏系统GaN逆变器的短路耐受性评估有指导意义。精确的短路模型对阳光电源GaN产品线的可靠性设计和测试验证有实...