Dongbeom Goo · Ganghyeok Seo · Hongsik Lim · Uiyeon Won 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于二维材料异质结的互补型隧穿场效应晶体管（TFET），可在高温环境下实现稳定、低功耗的数字电路运行。通过精确调控MoS₂/WS₂异质结界面与栅介质，器件在高达200°C的工作温度下仍展现出优异的开关特性与陡峭亚阈值摆幅。该器件兼具n型与p型操作能力，实现了高性能互补逻辑电路集成。实验结果表明，该结构在极端温度条件下具有出色的热稳定性与能效优势，为下一代低功耗微电子器件提供了可行的技术路径。

解读: 该高温互补异质结TFET技术对阳光电源的功率器件与控制系统具有重要参考价值。其200℃高温稳定特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器的驱动电路优化,有助于提升器件可靠性。低功耗特性适合储能系统的待机控制与监控电路,可降低ST系列储能变流器的自耗电。此外,该技术在充电桩等户外设备的控制芯片中也具备应...