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功率器件技术 宽禁带半导体 GaN器件 ★ 4.0

异质结构与界面工程实现超宽禁带AlGaN的低阻接触

Heterostructure and interfacial engineering for low-resistance contacts to ultra-wide bandgap AlGaN

Yinxuan Zhu · Sandia National Laboratories · Chandan Joishi · Jonathan Pratt 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

针对超宽禁带AlGaN半导体材料中欧姆接触电阻高的挑战,本研究提出了一种基于极化诱导电荷调控的异质结构与界面协同工程策略。通过设计AlGaN/GaN超晶格缓冲层并优化金属-半导体界面特性,有效增强了表面载流子浓度,降低了势垒高度。结合退火工艺调控界面化学态,实现了稳定且低比接触电阻(<5×10⁻⁵ Ω·cm²)的欧姆接触。该方法为高性能AlGaN基功率电子器件的发展提供了关键技术支撑。

解读: 该研究在AlGaN低阻接触方面的突破对阳光电源GaN功率器件的应用具有重要价值。通过异质结构与界面工程实现的低比接触电阻(<5×10⁻⁵ Ω·cm²),可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的开关性能和导通损耗。特别是在1500V高压系统中,优化的欧姆接触可提高器件可靠性,有助...

拓扑与电路 DC-DC变换器 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 4.0

固态变压器用谐振DC-DC变换器的设计与实验测试

Design and Experimental Testing of a Resonant DC–DC Converter for Solid-State Transformers

Gabriel Ortiz · Michael Georg Leibl · Jonas Emanuel Huber · Johann Walter Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月

在固态变压器(SST)概念中,电压适配与隔离由中频运行的大功率DC-DC变换器实现,从而减小了无源元件的体积与重量。该变换器是SST实现的核心挑战,本文重点探讨了其在中频运行下的设计与实验验证。

解读: 该研究涉及的高功率密度、中频隔离DC-DC变换器技术,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及未来的固态变压器应用具有重要参考价值。通过优化谐振拓扑,可进一步提升PCS的功率密度并降低损耗。建议研发团队关注该技术在提升储能变流器效率及减小系统体积方面的潜力,特别是在...