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可重构全功率和部分功率处理GaN FET T型DAB DC-DC变换器
Reconfigurable Full and Partial Power Processing GaN-FET-based T-type DAB DC-DC Converter
Ronald Carmona · Christian A. Rojas · Alejandro Stowhas-Villa · Alan H. Wilson-Veas 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年7月
多电平双有源桥(ML-DAB)变换器相比传统DAB具有增强性能和功率密度。提出基于GaN FET的T型DAB(T-type DAB)变换器接口,设计实现全功率转换(FPC)和部分功率转换(PPC)模式间转换。该变换器在高频变压器(HFT)原边和副边产生五电平,降低电压转换率(dv/dt)并增加高功率效率范围。该变换器主要贡献在于集成ML-DAB架构和PPC重构运行能力,仅处理总功率一部分并增强热性能。通过原边和副边单相移(SPS)实现输出电压调节,简化控制并增强整体性能。通过缩小样机仿真和实验测...
解读: 该可重构GaN T型DAB变换器技术对阳光电源多电平变换器和部分功率处理应用有创新价值。FPC/PPC模式切换可应用于ST储能系统的宽功率范围运行,提高轻载效率和热性能。GaN FET五电平拓扑对阳光电源高频高功率密度变换器设计有借鉴意义。该技术对PowerTitan储能系统的模块化设计和功率分级管...
解决基于GaN-FET的单相并网差模逆变器中的实际设计问题
Resolving Practical Design Issues in a Single-Phase Grid-Connected GaN-FET-Based Differential-Mode Inverter
Abhijit Kulkarni · Ankit Gupta · Sudip K. Mazumder · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
针对光伏微逆变器需升压的需求，本文研究了基于高频变压器隔离的差模Ćuk逆变器（DMCI）。该拓扑具备天然的电压提升能力和高功率密度。文章重点探讨了在采用GaN-FET功率器件实现该拓扑时所面临的实际设计挑战与解决方案。
解读: 该研究聚焦于高功率密度微逆变器拓扑及GaN器件应用，与阳光电源户用光伏逆变器产品线高度相关。随着户用市场对小型化、高效率要求的提升，引入GaN等宽禁带半导体技术是提升功率密度的关键路径。差模Ćuk拓扑的电压提升特性可优化低压光伏组件的接入方案。建议研发团队关注该拓扑在高频化设计中的EMI抑制及驱动保...