Fabian Hohmann · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月

本文研究了一种通过并联压接式二极管来提升IGBT半桥单元效率的方法。文章详细讨论了该拓扑在模块化多电平变换器（MMC）应用中的开关性能及其损耗特性。

解读: 该研究针对高压大功率应用中的开关损耗优化，对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在兆瓦级及以上的高压变流器设计中，通过优化二极管配置提升效率，可直接降低系统散热需求并提升功率密度。建议研发团队评估压接式二极管在模块化多电平拓扑中的集成可行性，特别是在提...