找到 2 条结果

排序:
功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 ★ 3.0

一种用于低温超导磁体电源的新型GaN T型三开关桥臂

A New GaN T-Type Three-Switch Bridge-Leg for Cryogenic HTS Magnet Power Supplies

Mücahid Akbas · Daifei Zhang · Elias Bürgisser · Johann W. Kolar 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

本文提出了一种用于低温超导磁体电源的新型三开关T型(3STT)桥臂拓扑。该拓扑利用标准氮化镓(GaN)晶体管的反向阻断能力,在低输入电压(约1V)下实现高电流输出,并提供双极性输出电压功能,有效提升了低温DC-DC变换器的功率密度与效率。

解读: 该研究聚焦于GaN器件在极端工况下的拓扑创新,对阳光电源的研发具有前瞻性参考价值。虽然目前阳光电源的主流产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)多采用SiC或IGBT技术,但随着未来高功率密度需求提升,GaN在辅助电源或低压大电流变换场景的应用潜力巨大。建议研发团队关注该拓扑在提升变换器...

功率器件技术 DC-DC变换器 GaN器件 ★ 5.0

一种用于低温高温超导磁体电源的新型氮化镓T型三开关桥臂

A New GaN T-Type Three-Switch Bridge-Leg for Cryogenic HTS Magnet Power Supplies

Mücahid Akbas · Daifei Zhang · Elias Bürgisser · Johann W. Kolar 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

用于为高温超导磁体供电的低温降压直流 - 直流转换器以约 1V 的低直流输入电压工作,并提供高输出/磁体电流。所提出的三开关 T 型(3STT)桥臂利用标准氮化镓(GaN)晶体管的(有限)反向阻断能力,实现与传统全桥(FB)拓扑相同的功能(双极输出电压)。有利的是,3STT 仅在负载电流路径中设置单个晶体管(而 FB 为两个),可将传导损耗至少降低 50%。一个工作在 77K(浸没在液氮中)的 25A 3STT 相模块演示器的损耗测量结果验证了这一概念。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对低温高温超导磁体电源的GaN T型三开关桥臂技术,虽然应用场景较为专业化,但其核心技术理念对我们在光伏逆变器和储能系统领域具有重要的借鉴价值。 该技术的核心创新在于利用GaN器件的反向阻断特性,将传统全桥拓扑的四开关结构简化为三开关T型结构,在保持双极性输出能力的...