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利用片上结温传感器早期检测IGBT模块键合线老化
Early Detection of Wire Bond Degradation in IGBT Modules Using On-Chip Junction Temperature Sensor
Joonas A. R. Leppänen · Atte L. J. Hoffrén · Tapio F. V. Leppänen · Eeli E. I. Kerttula 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文提出了一种利用集成片上温度传感器早期检测功率半导体模块(PSM)键合线脱落故障的创新方法。针对键合线老化这一主要失效机制,传统监测方法往往因滞后而无法实现预防性维护。研究通过结合功率循环测试,验证了该方法在提升模块可靠性方面的有效性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。IGBT是上述产品的核心功率器件,键合线老化是导致逆变器和PCS现场故障的主要原因之一。通过集成片上温度传感器实现早期故障预警,可显著提升iSolarCloud智能运维平台的预...