Kubra Circir · Hannaneh Karimi · Dongxia Wei · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了基于GaSb衬底的AlxIn1−xAsySb1−y数字合金分离吸收区、电荷区和倍增区雪崩光电二极管，其吸收波长达2 μm，吸收层厚度为50至400 nm。由于窄带隙吸收层材料用量减少，器件在室温下表现出极低的暗电流，并在高倍增增益下仍保持低暗电流特性。其中，100 nm吸收层器件在增益为90时室温暗电流密度约为35 mA/cm²，是目前报道中室温下高增益工作的2 μm III-V族雪崩光电二极管的最低值。吸收层减薄有效抑制了体暗电流，未来需重点抑制表面漏电流与倍增区暗电流。此外，优化p...

解读: 该2μm波段低暗电流APD技术对阳光电源光伏及储能系统的智能监测具有应用价值。2μm近红外探测器可用于iSolarCloud平台的组件热斑检测、电气连接异常诊断等预测性维护场景，其室温低暗电流特性（增益90时仅35mA/cm²）可显著提升信噪比，增强SG系列逆变器和PowerTitan储能系统的故障...