Al Atem · Della Corte · Deb Mishra · Trans Tech Publications · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体，兼具成熟的制备工艺和容纳光学活性点缺陷（即色心）的能力，适用于量子技术。本研究聚焦于4H-SiC中的硅空位缺陷，通过离子注入、电子束光刻和反应离子刻蚀制备了纳米柱阵列。所制得的SiC纳米柱高1.4 μm，并实现了不同柱径与间距的阵列结构。在80 K下的阴极荧光测量表明，与未加工SiC相比，缺陷的光收集效率提高了2至4倍，且荧光强度随柱间距减小和直径增大而增强。结果表明，SiC纳米柱阵列有望作为提升量子光子器件性能的可扩展平台。

解读: 该SiC纳米柱阵列技术对阳光电源功率器件研发具有前瞻性参考价值。研究中通过纳米结构优化实现的光收集效率提升2-4倍，揭示了SiC材料微观结构调控对性能的显著影响。虽然研究聚焦量子光子应用，但其离子注入、电子束光刻等缺陷工程方法可启发ST系列储能变流器和SG逆变器中SiC MOSFET的界面优化设计。...