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排序:
功率器件技术
GaN器件
DC-DC变换器
功率模块
★ 4.0
高频谐振与软开关DC-DC变换器中氮化镓晶体管的评估
Evaluation of Gallium Nitride Transistors in High Frequency Resonant and Soft-Switching DC–DC Converters
David Reusch · Johan Strydom · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年9月
氮化镓（GaN）功率器件相比成熟的硅（Si）MOSFET，具有实现更高效率和更高开关频率的潜力。本文评估了GaN晶体管在高频谐振和软开关应用中提升效率与功率密度的能力，并通过实验进行了验证。
解读: GaN作为第三代半导体，是阳光电源提升产品功率密度和转换效率的关键技术储备。在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中，利用GaN的高频特性可显著减小磁性元件体积，从而实现更轻便的产品设计。建议研发团队关注GaN在高频软开关拓扑（如LLC）中的应用，以优化PowerStack等储能系统中的DC-DC变换模...