D. Urciuoli · S. Ryu · D. C. Capell · D. Ibitayo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年9月

本文研制了一种额定击穿电压为1kV的碳化硅(SiC)雪崩击穿二极管(ABD)，旨在改善固态器件在硬开关关断过程中产生的电压瞬变抑制能力。通过在感性负载电路中进行1000次脉冲测试（峰值电流超100A），验证了该器件在峰值脉冲电流、钳位电压及峰值脉冲功率方面的优越性能。

解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，功率器件在硬开关过程中的电压尖峰抑制成为提升系统可靠性的关键。SiC ABD的应用可有效替代传统钳位电路，减小寄生参数影响，提升逆变器及PCS功...