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拓扑与电路 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

基于GaN的10 kVA D类功率放大器,具有100 kHz大信号带宽和4.8 MHz开关频率

100 kHz Large-Signal Bandwidth GaN-Based 10 kVA Class-D Power Amplifier With 4.8 MHz Switching Frequency

Pascal S. Niklaus · Johann W. Kolar · Dominik Bortis · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

本文提出了一种基于GaN器件的10 kVA D类功率放大器,实现了4.8 MHz的开关频率和100 kHz的大信号带宽。该技术主要用于电力硬件在环(P-HIL)测试中模拟电网或电机行为,通过高带宽特性精确表征宽禁带半导体电力电子系统的动态响应与阻抗特性。

解读: 该技术展示了GaN器件在高频功率转换中的极致性能,对阳光电源的研发具有重要参考价值。在产品线应用方面:1. 研发侧:可应用于iSolarCloud智能运维平台下的电力电子系统仿真测试,提升P-HIL测试精度;2. 逆变器/PCS:虽然目前光伏逆变器和储能PCS(如PowerTitan)受限于成本和功...