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功率MOSFET体二极管开关性能与鲁棒性分析：技术评估
An Analysis of the Switching Performance and Robustness of Power MOSFETs Body Diodes: A Technology Evaluation
Saeed Jahdi · Olayiwola Alatise · Roozbeh Bonyadi · Petros Alexakis 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
本文探讨了1.2kV SiC MOSFET、硅功率MOSFET及900V CoolMOS体二极管在不同温度下的开关损耗与电热鲁棒性权衡。研究发现，所有器件的动态雪崩击穿最大正向电流均随电源电压和温度升高而降低，其中CoolMOS表现出最高的闩锁电流。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET及高压CoolMOS，体二极管的动态雪崩鲁棒性直接影响系统在极端工况下的可靠性。建议研发团队在功率模块选型及驱动电路设计时，充分考虑温度对雪崩电流的影响，优化死区时间...
碳化硅功率DMOSFET的高温电学与热老化性能及应用考量
High-Temperature Electrical and Thermal Aging Performance and Application Considerations for SiC Power DMOSFETs
Dean P. Hamilton · Michael R. Jennings · Amador Perez-Tomas · Stephen A. O. Russell 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月
本文测量了三种商用SiC DMOSFET在高温下的电学特性与稳定性。实验发现，350°C时导通电阻增至室温的6-7倍；在300°C正向栅压应力下，阈值电压在数十分钟内几乎翻倍，但施加负向栅压后可快速恢复。研究揭示了高温环境下SiC器件的退化机理及恢复特性。
解读: SiC器件是阳光电源提升组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统功率密度的核心。该研究关于高温下导通电阻剧增及阈值电压漂移的发现，对公司高功率密度产品的热管理设计及栅极驱动电路保护策略具有重要指导意义。建议研发团队在设计中引入更宽的栅极驱动电压裕量，并针对高温工况优化驱动电路...