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排序:
拓扑与电路
GaN器件
多电平
功率模块
★ 3.0
作为多电平电源调制器瞬态振铃抑制方法的门极脉冲技术
Gate Pulsing as a Transient Ringing Reduction Method for Multilevel Supply Modulators
Connor Nogales · Zoya Popović · Gregor Lasser · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月
本文提出了一种门极脉冲技术,用于抑制多电平动态电压电源中的振铃现象,该电源主要用于GaN射频功率放大器(RFPA)的漏极偏置调制。通过优化门极驱动策略,该方法能在保持高瞬时带宽的同时,有效提升射频功率放大器在处理变包络信号时的平均效率。
解读: 该文献探讨的GaN器件驱动优化及多电平电路振铃抑制技术,对阳光电源的功率电子研发具有参考价值。虽然该研究侧重于射频领域,但其核心的宽禁带半导体(GaN)驱动控制与多电平拓扑优化,可迁移至阳光电源的高频高效户用逆变器或小型化充电桩模块设计中。建议研发团队关注该门极脉冲技术在降低高频开关损耗与电磁干扰(...