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功率器件技术 SiC器件 功率模块 ★ 4.0

基于双面布局的低寄生电感SiC功率模块

A Low Parasitic Inductance SiC Power Module Based on Double-Sided Layout

马浩浩 · 杨媛 · 郭孙毓 · Santiago 等6人 · 电工技术学报 · 2025年1月 · Vol.40

碳化硅(SiC)功率模块因高开关速度对寄生电感敏感,导致电压应力和开关损耗增加。本文提出一种双面布局SiC功率模块结构,通过在DBC基板上对称布置器件与端子,并利用穿孔实现三维电流路径,显著降低寄生电感与体积。仿真表明,相较传统二维键合线封装,寄生电感降低95%;实验验证显示,电压超调减少37%,开关损耗下降14%,动态性能优于商用模块,有效提升电气性能与开关特性。

解读: 该双面布局SiC功率模块技术对阳光电源产品线具有重大应用价值。95%的寄生电感降低可直接优化SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的开关特性,提升系统效率。37%的电压超调降低有助于提高PowerTitan等大功率产品的可靠性。该技术特别适用于新一代1500V系统和车载OBC等对功率密度要...