Alberto Cavaliere · Nicola Modolo · Carlo De Santi · Christian Koller 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

近年来，使用绝缘衬底已成为制造耐压超过 1 kV 的氮化镓（GaN）功率晶体管的可行方案。这类结构颇具吸引力，因为无需使用掺杂缓冲层，所以——理想情况下——有望实现较低的动态导通电阻（ ${R}_{\text {DSON}}$ ）。本文研究了无缓冲层的碳化硅（SiC）基氮化镓器件中，负背栅偏压引起的可恢复（且与温度相关）的电流降低现象。值得注意的是，我们证明了这种效应并非直接与电荷俘获有关，而是与麦克斯韦 - 瓦格纳效应有关，即绝缘碳化硅衬底与半绝缘氮化镓层界面处的电荷迁移。据此，我们定义并验证...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于无缓冲层GaN-on-SiC功率晶体管电流崩塌机理的研究具有重要的战略参考价值。 在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中，功率半导体器件是决定系统效率、功率密度和可靠性的关键要素。该论文揭示的无缓冲层GaN-on-SiC结构能够实现超过1kV的耐压等级，且理论上具有...