通过氧空位相工程增强Hf᙮Zr᙮₋₁O₂反铁电超导电容器的能量存储与效率

Enhancement of Energy Storage and Efficiency in Antiferroelectric Hf᙮Zr᙮₋₁O₂ Supercapacitors Through Tailored Phase Engineering by Oxygen Vacancy

Zhiquan He · Yu Bai · Guanlin Li · Xuanxi Liu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月

在本信件中，通过调控 ${\mathrm {Hf}}_{\mathbf {x}}$ ${\mathrm {Zr}}_{\mathbf {{1}-}\mathbf {x}}$ ${\mathrm {O}}_{\mathbf {{2}}}$ （HZO）薄膜的氧空位（V ${}_{\!\!\mathbf {O}}$ ），显著改善了其反铁电（AFE）性能。在 HZO 薄膜的溅射过程中使用了具有不同 ${\mathrm {O}}_{\mathbf {{2}}}$ 流量的气体。引入适当的 ${\mathrm...

解读: 从阳光电源储能系统业务视角看，这项基于HfₓZr₁₋ₓO₂（HZO）反铁电薄膜的储能电容技术展现出显著的应用潜力。该研究通过氧空位调控实现相工程优化，在8.0%氧空位浓度和0.82锆浓度配比下，获得了86.3 J/cm³的能量存储密度和74%的储能效率，同时展现出超过10⁹次循环后仍保持98%初始容...