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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

一种具有浪涌电流保护和尖峰抑制功能的动态导通电阻降低型双向氮化镓负载开关

A Dynamic-RON-Reduced Bidirectional GaN Load Switch With Inrush Current Protection and Spike Suppression

Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Chi-Yu Chen · Yu-Ting Huang 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

本文提出了一种双向氮化镓(GaN)负载开关,在实现双向电流导通的同时有效阻断反向电流。该开关支持最高48V输入电压和25A负载电流,导通电阻仅为11.2mΩ。通过集成驱动电流限制器,有效解决了浪涌电流和电压尖峰问题,提升了功率管理的效率与可靠性。

解读: 该技术主要针对低压(48V)直流侧的功率开关控制,在阳光电源的户用储能系统(如电池包内部BMS电路)或电动汽车充电桩的辅助电源管理中具有应用潜力。GaN器件的高频、低损耗特性有助于提升功率密度,但目前阳光电源的主流储能PCS(如PowerTitan)和光伏逆变器多采用高压功率器件。建议研发团队关注该...