Biswajit Jena · Dinesh Prajapati · Vishnu Shankar Rai · Anup Kumar · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

提升介电材料性能对储能技术的发展至关重要。本研究探讨了钨（W）取代对Bi₂/₃Cu₃Ti₄O₁₂（BCTO）陶瓷的介电性能、电学特性及微观结构的影响。采用半湿法工艺制备W掺杂的BCTO陶瓷，并在1173 K下烧结8小时。通过X射线衍射分析验证了所合成的Bi₂/₃Cu₃Ti₄₋ₓWₓO₁₂（x = 0.00, 0.05, 0.10, 0.20）即BCTWO陶瓷的相形成情况，结果显示存在少量次要相。利用X射线光电子能谱（XPS）确定各元素的氧化态，同时采用能量色散X射线光谱（EDX）分析以确认相纯度...

解读: 该钨掺杂BCTO陶瓷介电材料研究对阳光电源储能系统具有重要参考价值。其高介电常数(ε'~7.8×10³)特性可应用于ST系列PCS的直流侧支撑电容和PowerTitan储能系统的滤波电容优化,提升功率密度和能量存储效率。材料的介电损耗控制技术可为SiC/GaN功率器件的栅极驱动电路提供低损耗电容方案...